Hình 23. Phổ kếđối trùng giảm phông compton.
Do các thông tin thu được về đối tượng đo chủ yếu nằm ở các đỉnh hấp thụ quang điện nên các hệ phổ kế đối trùng giảm phông compton được sử dụng khá nhiều. Nguyên tắc chung của hệ đo phức hợp kiểu này là các lượng tử gamma tán xạ compton đi ra khỏi đetectơ chính sẽ được các đetectơ phụ bao quanh ghi nhận. Xung điện từ các đetectơ bao quanh sẽ khoá không cho phép ghi nhận xung từ đetectơ chính trong một khoảng thời gian nào đó tuỳ thuộc vào độ phân giải thời gian của hệ. Nếu từ các đetectơ xung quanh không có xung ra thì xung từ đetectơ chính sẽ được ghi (được coi là tương ứng với sự hấp thụ hoàn toàn). Với hệ đo loại này, có hai vấn đề quan trọng cần được giải quyết là:
* Hệ đetectơ bao quanh có hiệu suất ghi càng cao càng tốt: Nếu hấp thụ được 30% số lượng tử gamma sau tán xạ compton thì tức là phông đã giảm đi 30%. Với các hệ tốt nhất hiện nay, phông compton giảm đi được khoảng 30- 50%. Ví dụ rõ ràng nhất được trình bày trên hình 20 với đetectơ nhấp nháy.
* Hệ cần được che chắn kỹ vì phông gamma cao sẽ dẫn tới giảm khả năng ghi đo sự kiện có ích do trùng phùng ngẫu nhiên. Đồng thời cũng phải tăng độ phân giải thời gian của hệ để giảm trùng phùng ngẫu nhiên. Chúng ta biết rằng tốc độ trùng phùng ngẫu nhiên Nnn = N1.N2.τ với N1 là tốc độ đếm ở đetectơ 1, N2 là tốc độ đếm ở đetectơ 2, τ là độ rộng cửa sổ thời gian trùng phùng (hoặc đối trùng). Như vậy để giảm ảnh hưởng của trùng phùng ngẫu nhiên chúng ta cần giảm cả 3 tham số trên bằng che chắn và tăng tốc độ làm việc của hệ điện tử. Tất nhiên, do bản chất quá trình tương tác nên với các đetectơ bán dẫn, cửa sổ trùng phùng τ không thể nhỏ hơn một giá trị nào đó đặc trưng riêng cho hệ đo. Giá trị τ tối thiểu thường được lấy bằng khoảng 3 lần thời gian của đetectơ (khoảng cách giữa hai điện cực chia cho tốc độ trôi dạt của các phần tử tải điện chính tại giá trị cao áp làm việc được lựa chọn của đetectơ) do tốc độ của hệ điện tử thường rất lớn, ảnh hưởng của độ phân giải thời gian hệ không đáng kể so với thời gian di chuyển của các phần tử tải điện trong đetectơ.