Đây là những sai số đƣợc đóng góp bởi những thăng giáng phát sinh trong quá trình ghi nhận bức xạ. Các thăng giáng này thực tế rất đa dạng và hầu hết đều
mang tính hồn tồn là những phân bố ngẫu nhiên. Một số thăng giáng điển hình đóng góp trong sai số thống kê nhƣ: Thăng giáng độ rộng mức năng lƣợng (do phân bố ngẫu nhiên số đếm tạo ra); thăng giáng trong việc tạo cặp điện tử lỗ trống trong tinh thể bán dẫn (tạo ra bởi sự gián đoạn trong q trình truyền năng lƣợng ion hóa) ; thăng giáng do sự ghi nhận các điện tử trong đetectơ (tạo ra bởi đƣờng đi và quá trình tƣơng tác của bức xạ trong tinh thể bán dẫn, vị trí và góc đi vào tinh thể rất quan trọng đối với loại thăng giáng này, có thể hạn chế đƣợc bằng cách chuẩn trực cửa sổ đo) ; thăng giáng do nhiễu điện tử trong việc xử lý các xung (tạo ra bởi tính chất thiếu ổn định trong hoạt động của hệ điện tử, điều này hồn tồn khơng thể tránh khỏi mà chỉ có thể giảm thiểu đƣợc phần nào nhờ các điều kiện tạo thích hợp với chế độ hoạt động của hệ trong phịng thí nghiệm nhƣ độ ẩm, nhiệt độ,…) [6]
. Các thăng giáng này có thể tính bằng biểu thức tổng hợp nhƣ sau:
2 2 2 2 2
I P E C
(2.10) trong đó: η : Tổng thăng giáng thống kê của phổ kế.
ηI : Thăng giáng độ rộng mức năng lƣợng.
2.355 /
P F E
: Thăng giáng tạo cặp trong đetectơ.
ηE : Thăng giáng do nhiễu điện tử.
ηC : Thăng giáng do ghi nhận điện tích trong đetectơ.
Về phân bố, tổng thăng giáng thống kê có phân bố chuẩn. Để giảm những sai số ngẫu nhiên này cần phải tiến hành nhiều phép đo và tăng thông tin trong mỗi lần đo.