Cấu trúc dị thể kép trên bao gồm một lớp đầu tiên trên nằm trên đế, lớp n-
AlGaAs, lớp tích cực p-GaAs và lớp p-AlGaAs. Ngồi ra cịn được bổ sung thêm một lớp p-GaAs.
Chúng ta có thể thấy, các điện cực được tiếp xúc với vật liệu bán dẫn GaAs nhiều hơn AlGaAs. Lựa chọn này cho phép tiếp xúc được tốt hơn. Các lớp p và n- AlGaAs cung cấp hạt tải và tạo cơ chế giam giữ quang theo phương thẳng đứng nhờ tiếp xúc di thể của lớp p-GaAs. Trong cấu trúc trên, lớp tích cực là lớp p-GaAs.
Điều này có nghĩa là phát xạ laser nằm trong khoảng 870 - 900 nm tùy thuộc vào
mức độ pha tạp. Lớp tích cực cũng có thể là AlyGa1-yAs, cho phép phát xạ tại nhiều bước sóng khác nhau.
Lợi thế của cấu trúc di thể AlGaAs/GaAs là ít bị khuyết tật giữa hai cấu trúc tinh thể và do đó, có thể bỏ qua ứng suất phát sinh trong linh kiện. Các khuyết tật này luôn tồn tại và là các đối tượng gây ra tái hợp không phát xạ và do đó làm giảm tốc độ bức xạ.
1.3. Một số phương pháp điều chế laser bán dẫn
Ánh sáng và dịng điện là hai cơ chế kích thích được chọn của đa số laser bán dẫn. Ánh sáng hoặc các điện tử sẽ cung cấp năng lượng cần thiết để kích thích các điện tử nhảy lên các mức năng lượng cao. Phương pháp bơm bằng dòng điện
đã được mô tả trong mục 2.2.1.
Phương pháp bơm bằng ánh sáng (bơm quang học) cũng hay được sử dụng trong nhiều ứng dụng laser bán dẫn (hình 2.8).