H. Bài tập phần MOSFET:
4.12 Thiết kế mạch khuyếch đại chung cực nguồn (CS) bằng MOSFET kênh-n, sử dụng
transistor 3N128 (phụ lục D) cho tải là 10k với hệ số khuyếch đại điện áp Av = - 10. Sử dụng
mạch ở hình P4.3. Chọn điểm-Q khi Rin > 10k , bằng cách sử dụng họ đặc tuyến thể hiện theo các thông số kỹ thuật cuối phần bài tập.
66
4.13 Thiết kế mạch khuyếch đại bằng MOSFET kênh-n, chung cực nguồn (CS) sử dụng transistor 3N128 (phụ lục D) cho tải là 2k với Av = - 4 và Rin > 100k . Giả sử rằng, điểm-Q đã transistor 3N128 (phụ lục D) cho tải là 2k với Av = - 4 và Rin > 100k . Giả sử rằng, điểm-Q đã được chọn là VGSQ = - 0,6V, VDSQ = 10V, IDQ = 10mA, VDD = 20V. Tham khảo mạch ở hình P4.3.
4.14 Phân tích mạch khuyếch đại CS bằng JFET kênh-n như mạch ở hình P4.5, khi có tải là
20k , RD = 8k , VDD = 24V, và Rin = 50k . Chọn điểm-Q có VGSQ = - 1,5V, VDSQ = 12V, IDQ = 1mA, và gm = 2,83mS. Hãy tính tất cả trị số của các cấu kiện, Ai, và Av.
67
4.15 Nếu RS ở mạch hình P4.4, được rẽ mạch bằng tụ, thì hệ số khuyếch đại điện áp là bao nhiêu ? Giả sử rằng điểm-Q đã được chọn để có gm = 1,5mS, RD = 3,2k , và RL = 5k . Xác định nhiêu ? Giả sử rằng điểm-Q đã được chọn để có gm = 1,5mS, RD = 3,2k , và RL = 5k . Xác định hệ số khuyếch đại dòng điện khi RS = 500 , R1 = 200k , và R2 = 800k .
4.16 Hệ số khuyếch đại điện áp Av của mạch ở hình P4.4, là bao nhiêu nếu tín hiệu được cung
cấp vào mạch khuyếch đại có điện trở của nguồn điện áp là Ri = 10k ? Cho RD = 10k , và RL = 10k , RS = 500 , gm = 2mS, R1 = 25k , và R2 = 120k .
68
4.17 Cho mạch như ở hình P4.6, giả sử rằng RS được rẽ mạch bằng một tụ điện. VDD = 15V, RD
= 2k , RL = 3k , RS = 200 , R1 = 500k , IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V. Hãy xác định Av, Ai,
Rin, và điểm-Q cho mạch khuyếch đại.
4.18 Cho mạch hình P4.6, giả sử rằng VDD = 20V, RD = 2k , RL = 10k , RS = 200 , R1 = 1M ,
69
4.19 Cho mạch hình P4.6, giả sử rằng VDD = 20V, RD = 2k , RL = 6k , RS = 100 , R1 = 1M ,
IDSS = 10mA, và VGSoff = - 5V. Hãy xác định điểm-Q, Av, Ai, Rin, và cho mạch khuyếch đại.
4.20 Cho mạch khuyếch đại CS như ở hình P4.1, sử dụng JFET có IDSS = 2mA, và gm0 = 2000 S. Nếu trị số của RD = 10k , RS = 200 , thì hệ số khuyếch đại điện áp Av là bao nhiêu đối với các giá trị của VGSQ sau đây ?
70
4.21 Mạch khuyếch đại CS ở hình P4.6, với transistor có VGSoff = - 4V, IDSS = 4mA, và rDS = 500 . Nếu RD = 2k , RL = 4k , và RS = 200 , thì hệ số khuyếch đại điện áp Av của mạch là 500 . Nếu RD = 2k , RL = 4k , và RS = 200 , thì hệ số khuyếch đại điện áp Av của mạch là bao nhiêu với VGSQ = - 1V ? Av sẽ như thế nào khi rDS đạt đến vô cùng ?
4.22 Thiết kế mạch khuyếch đại CS bằng MOSFET kênh-n như mạch ở hình P4.3, khi có RL =
4k , Av = - 5, và Ai = - 10. Giả sử rằng, điểm-Q đã chọn có VDSQ = 10V, VGSQ = 4V, IDQ = 2mA, và gm = 4000 S.
71
4.23 Cho mạch như ở hình P4.7, có Ri = 50k , R1 = 100k , R2 = 800k , RD = 4k , RL = 6k ,
RS = 200 , và VDD = 20V, xác định các thông số sau khi sử dụng FET có VDSQ = 6V, gm = 2,5mS:
a) IDQ, VGG, và VGSQ
b) Av, Rin, và Ai.
4.24 Cho mạch như ở hình P4.7, nếu loại bỏ R2, transistor FET làm việc ở mức dòng là 2mA.
Trị số của các cấu kiện là Ri = 100k , R1 = 400k , RD = 3k , RL = 5k , và VDD = 12V. Xác định các thông số sau khi sử dụng transistor có IDSS = 8mA, và VGSoff = - 4V:
72
4.25 Thiết kế mạch khuyếch đại lặp lại-cực nguồn (SF) bằng JFET kênh-p như ở hình P4.8, với
Rin = 20k , để nhận được hệ số khuyếch đại điện áp Av gần bằng 1. Tính Ai, R1, R2, và RS. Sử dụng họ đặc tuyến cho ở hình P4.2.