Câu hỏi loại 3:
CHƯƠNG 6: CẤU KIỆN THYRISTOR Câu hỏi loại 1.
Câu hỏi loại 1.
1 / Thyristo có thể sử dụng như: a Một điện trở.
b Một bộ khuếch đại.
d Một nguồn dòng.
2 / Để kích thích một cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụng a Hồi tiếp
dương. b Hồi tiếp. c Tranzito lưỡng cực. d Sử dụng một dòng điện.
3 / Dòng điện vào nhỏ nhất mà nó có thể bật thyristo dẫn điện được gọi là a Dòng điện đánh thủng.
b Dòng điện duy trì I .
H
c Dòng điện kích thích I .G d Dòng điện ngược bão hòa.
4 / Dòng điện anốt nhỏ nhất giữ cho thyristo dẫn điện được gọi là: a Dòng điện ngược bão hòa.
b Dòng điện kích thích. c Dòng điện đánh thủng. d Dòng điện duy trì.
5 / Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có a Ba vùng pha tạp chất bán dẫn. b Ba lớp tiếp xúc P-N.
c Hai lớp tiếp xúc P-N. d Bốn lớp tiếp xúc P-N.
6 / Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường: a Dùng dòng điện duy trì.
b Dùng cái ngắt điện.
c Dùng hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N. d Kích thích cực điều khiển G.
7 / Triac tương đương với:
a Hai SCR đấu song song và cùng chiều nhau. b Điốt có bốn lớp bán dẫn.
c Hai diac mắc song song.
d Hai SCR mắc song song và ngược chiều nhau.
8 / Điện áp cần thiết đặt lên cực phát của UJT để nó dẫn điện được gọi là: a Điện áp đỉnh U .P
b Điện áp trũng U .V c Điện áp kích khởi U .
K
d Điện áp đỉnh khuỷu U .B0
Câu hỏi loại 2:
9 / Dùng UJT để tạo dao động xung người ta sử dụng đoạn đặc tuyến a Điện trở âm và điện trở dương
b Ở vùng ngắt. c Điện trở dương. d Điện trở âm.
1 0 / Điện áp đỉnh của UJT được tính theo công thức a UP = η U BB b UP = η UB B + 0,7 V c UP = U BB d UP = η U + 0,7 V - 0,7 V BB
1 1 / Điều kiện để mạch dao động phóng nạp sử dụng UJT hoạt động tốt là a Dòng điện I > I Vvà tụ điện 1µF >CT ≥ 0, 01µF b Dòng điện I V> I > I Pvà tụ điện c Dòng điện I < I Pvà tụ điện 1µF >CT ≥ 0, 01µF d Dòng điện I < I Pvà I > I . V
1 2 / Khi SCR đã dẫn điện, ta ngắt dòng điện điều khiển thì SCR sẽ ngừng dẫn? a Đúng. (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
b Sai.
1 3 / Tác dụng của dòng điện kích thích đưa vào cực G của SCR là a Giảm hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P .
1
b Giảm hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn N1
c Gia tăng hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn P2 d Gia tăng hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P2