Thiết bị bán dẫn đang dần thay thế các thiết bị đèn chân không trong lĩnh vực siêu cao tần. Các thiết bị này ngày càng được mở rộng ứng dụng trong kỹ thuật siêu cao tần. Đối với hệ thống MPT chúng ta có thể ứng dụng các thành tựu từ hệ thống truyền thông tin. Với phần phát cũng vậy, có thể sử dụng mạch khuếch
đại và anten được xây dựng cho hệ thống thông tin. Những kết quả nghiên cứu về các thành phần phát cho hệ thống thơng tin sử dụng bán dẫn đều có thể ứng dụng cho hệ thống MPT. Vấn đề đặt ra chỉ là yêu cầu hiệu suất cao và trọng lượng nhỏ và nhẹ. Hiện nay việc triển khai SPS mới trong giai đoạn nghiên cứu, thử nghiệm nên cơng trình nghiên cứu về nó cịn hạn chế, trong đó có cả các cơng trình nghiên cứu về bộ phát cho SPS. Mặc dù vậy đã có một số cơng trình đề cập tới việc thiết kế các bộ khuếch đại bán dẫn cho mục đích truyền năng lượng khơng dây. Dưới đây tác giả điểm qua một số cơng trình nghiên cứu được ứng dụng hoặc có thể sử dụng cho MPT cũng như SPS.
Cơng trình [18] dù khơng được sử dụng cho MPT nhưng đề xuất giải pháp thiết kế mạch khuếch đại với công suất lối ra đạt 16,5W sử dụng linh kiện GaN và kỹ thuật mạch dải ở chế độ F có hiệu suất lớn đạt 85%. Đây là một kết quả giải quyết được vấn đề về hiệu suất. Tuy nhiên mức công suất lại thấp và thiết kế phức tạp cũng như sử dụng linh kiện giá thành cao.
Cơng trình [26] đề xuất thiết kế mạch khuếch đại công tác ở chế độ F được phối hợp trở kháng nội với mức công suất ra đạt 7 W hiệu suất PAE đạt 70%. Mạch hoạt động ở tần số 5,8 GHz cho mục đích truyền năng lượng khơng dây sử dụng SPS. Tuy nhiên mức công suất này là quá nhỏ để có thể xây dựng SPS với cơng suất đề xuất 1GW.
Trong cơng trình [30] đã đề xuất sử dụng linh kiện bán dẫn loại GaN để xây dựng một bộ phát có cơng suất 1kW với các mơ đun cơ sở công tác ở chế độ AB đạt công suất lớn nhất đạt 200W hoạt động ở tần số 2,1GHz. Các mô đun được tổ hợp bởi các mạch tổ hợp công suất ống dẫn sóng kiểu chữ T. Mặc dù hiệu suất tổ hợp đạt tới 90% theo báo cáo nhưng số lượng các mạch tổ hợp lại khá nhiều phải mất tới 16 mạch tổ hợp dẫn tới khó khăn khi tích hợp và phức tạp khi thực hiện. Bộ khuếch đại cũng yêu cầu hệ thống tản nhiệt kích thước lớn.
Tiếp theo trong cơng trình [53] một mạch khuếch đại 4W ở chế độ AB sử dụng linh kiện loại GaAs FET được thiết kế chế tạo để xây dựng bộ phát với công suất tổng cộng là 120W hoạt động ở tần số 5,8 GHz. Mảng anten tích hợp tích cực AIA được sử dụng trong cơng trình này. Cơng trình đã xây dựng một hệ thống MPT hoàn chỉnh với ứng dụng tải tiêu thụ là một đèn LED. Khoảng cách thử nghiệm chỉ là 2,5m. Công suất phát của hệ thống này là khá nhỏ.
Cơng trình [27] đề xuất thiết kế một mạch khuếch đại GaN HEMT với hiệu suất PAE đạt 79%. Mạch được thiết kế tích hợp trên một chíp với chế độ cơng tác là chế độ F. Mặc dù vậy cơng suất của chíp cũng chỉ đạt khoảng 35 dBm và hoạt động ở tần số 5,8GHz.
Cơng trình [67] thiết kế mạch khuếch đại ở chế độ E với công suất lối ra đạt tới 36 W với hiệu suất đạt tới 82%. Tuy nhiên, đây là mạch hoạt động ở dải tần số thấp dưới 240kHz. Cụ thể mạch được ứng dụng cho truyền năng lượng WPT trường gần với tải là một đèn LED.
Trong [22] đưa ra một trường hợp thiết kế mạch khuếch đại có cơng suất 45 W sử dụng GaN HEMT. Hệ số khuếch đại của mạch lớn tới 60 dB. Tuy nhiên mạch gồm nhiều tầng và khơng có kết quả thực nghiệm đo thử cơng suất được cơng bố.
Một số cơng trình [46,57] được thiết kế hoạt động ở chế độ F với hiệu suất PAE đạt trên 75%. Các mạch khuếch đại này có dải tần hoạt động trong băng tần ISM. Tuy nhiên mức công suất lối ra nhỏ chỉ đạt 25 dBm. Hơn thế nữa mạch cũng không được thiết kế cho hệ thống MPT.