Gần đúng mật độ cục bộ LDA

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) tính toán một số thông số đặc trưng cho tính chất điện tử của vật liệu nano diamondoids (c10h16 c87h76) bằng phương pháp AB initio luận văn ths vật liệu và linh kiện nano (Trang 39 - 41)

M ục lục

2.3 Phiếm hàm trao đổi tương quan

2.3.1 Gần đúng mật độ cục bộ LDA

Từ lý thuyết Hoheberg-Kohn, nhiều phép gần đúng đã được sử dụng để mô tả năng lượng trao đổi - tương quan là hàm của mật độ điện tử. Năng lượng trao đổi tương quan

này tức là ứng với nó các phương trình Kohn-Sham cho kết quả về trạng thái cơ bản

giống với phương trình Schrodinger hệ nhiều hạt thì không được biết, vì thế các phép gần đúng được sử dụng. Phương pháp đơn giản nhất để mô tả năng lượng trao đổi tương quan

của hệ điện tử là sử dụng gần đúng mật độ cục bộ (Local Density Approximation - LDA; Kohn và Sham, 1965) [78]. Trong gần đúng mật độ cục bộ, năng lượng trao đổi - tương

quan của hệ điện tử được xây dựng bằng cách giả sử là năng lượng trao đổi - tương quan

của mỗi điện tích tại điểm r trong khí điện tử, EXC bằng với năng lượng trao đổi - tương

quan của mỗi điện tử trong khí điện tử đồng nhất có cùng mật độ với khí điện tử tại điểm

r. Vì thế 3 XC XC E [n(r)] = e (r) n(r) d r (2.6) và XC XC dE [n(r)] d[n(r) e (r)] = dn(r) dn(r) (2.7) với hom XC XC e (r) = e [n(r)] (2.8)

Gần đúng mật độ cục bộ giả sử rằng phiếm hàm năng lượng trao đổi - tương quan

là hoàn toàn cục bộ. Một vài sự tham số hóa tồn tại trong năng lượng trao đổi - tương

quan của khí điện tử đồng nhất (Wigner, 1938; Kohn và Sham, 1965; Hedin và Lundqvist, 1971; Vosko và cộng sự., 1980; Perdew và Zunger, 1981) [81,82], và tất cả những tính

toán của các tác giả này đều cho các kết quả rất giống nhau. Những tham số hóa này sử

dụng các công thức nội suy để liên kết những kết quả chính xác cho năng lượng trao đổi -

tương quan của khí điện tử mật độ cao và và những tính toán năng lượng trao đổi - tương

quan của khí điện tử mật độ thấp và trung bình.

Về nguyên tắc, gần đúng mật độ cục bộ loại bỏ sự hiệu chỉnh của năng lượng trao đổi - tương quan tại điểm r do nó gần như không đồng nhất về mật độ điện tích. Khi cân

nhắc tính không chính xác của gần đúng này, đáng chú ý là các tính toán sử dụng LDA tỏ

ra hết sức thành công. Những nghiên cứu gần đây cho thấy thành công này có thể do đóng

của trao đổi - tương quan. Sử dụng các phương pháp tăng cường quy tắc tổng làm gia tăng

sự phù hợp của gần đúng LDA (Lengreth và Mehl, 1981, 1983) [83,84].

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) tính toán một số thông số đặc trưng cho tính chất điện tử của vật liệu nano diamondoids (c10h16 c87h76) bằng phương pháp AB initio luận văn ths vật liệu và linh kiện nano (Trang 39 - 41)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(85 trang)