Cấu trúc bên trong của CESAME trong hình 3-9. Tất cả các khối có một cấu trúc đồng nhất trên cơ sở các bộ chốt, một đồng hồ và cổng tiêu chuẩn phản ánh một oạt động lõi chuẩn. Trong các lõi, hai loại cấu trúc có thể dùng là: lõi bình thường “NORM” và lõi “RC”.
Hình 3-9: Chip kiểm tra CESAME.
Một mô hình điện được thiết lập để tiên đoán bức xạ phát ra và bức xạ dẫn. Các nguồn dòng làm IA đồng nhất cho lõi NORM và RC. Sự khác nhau chủ yếu tập trung ở điện trở nối tiếp (Rdd_die, Rvss_die) và tụ cách ly nội bộ Cb. Cuộn cảm của gói hầu hết là giống nhau ở core RC và NORM.
Hình 3-10: Mô hình ICEM.
PDN trong chip được mô tả sử dụng các phần tử R, L, C cơ bản. PDN đóng gói được giảm thành 2 cuộn cảm. So với trường hợp D60, chỉ có sự khác biệt ở điện trở nối tiếp Rcd và Rcb với các tụ cách ly. Các điện trở này tính cho các đường dẫn không hoàn hảo đến cách ly phân bố.
3.2.2. So sánh kết quả đo với mô phỏng
So sánh giữa kết quả đo và mô phỏng được chỉ ra trong hình 3-11. Kết quả tốt ở dải tần số 200-600MHz, ước lượng đỉnh của mô hình tại 100MHz. IA dạng tam giác hoàn hảo trong khi trong IC thực nó là hệ thống nhiều hơn hai pha. Chú ý, hài 1.8GHz trong kết quả đo tương ứng với nhiễu EMI với dải điện thoại di động DCS và không nhiều bức xạ do chính IC tạo ra.