Việc đo độ lệch của thanh dao động đạt được bằng việc sử dụng phương pháp độ lệch chùm quang (hình 1.4.6). Một chùm laze được chiếu vào điểm cuối của thanh dao động và chùm phản xạ sẽ được thu nhận bởi bộ phận thu nhận quang (photodetector). Khi thanh dao động bị uốn cong thì chùm laze phản xạ sẽ bị lệch so với ban đầu. Độ lệch của thanh dao động tương ứng với độ dịch chuyển của chùm phản xạ này trên detector.
Thông thường một hệ đo độ lệch được thiết kế để đo cùng một lúc nhiều chíp, các chíp này được đặt trên một giá đỡ. Hình 1.4.7 mô tả một hệ đo độ lệch các thanh dao động của một mảng các chíp.
Hình 1.4.7: a) Hệ đo độ lệch thanh dao động của các chíp trên cùng một mảng;
b) Một chíp với 9 thanh dao động [22].
Sự thay đổi độ lệch của các thanh dao động trước và sau khi bắt giữ kháng nguyên tỉ lệ với ứng suất do lớp các kháng nguyên trên bề mặt cảm biến gây ra. Độ lệch của thanh dao động được xác định thông qua công thức dưới đây [23]:
. 3(1 ) 4 rect W t z k l Trong đó:
- topbottom: độ chênh lệch ứng suất mặt trên và mặt dưới của thanh dao động.
- krect: hằng số đàn hồi của thanh dao động dạng hình chữ nhật. - : tỉ số Poisson của thanh dao động.
VẬT LIỆU VÀ PHƢƠNG PHÁP 2.1. Quy trình biến đổi bề mặt thanh dao động
2.1.1. Quy trình biến đổi bề mặt phủ Au
Trong phần này, chúng tôi tiến hành biến tính bề mặt phủ vàng của các mẫu wafer và các thanh dao động trên chíp.
2.1.1.1. Khảo sát mẫu wafer
Quy trình biến đổi bề mặt wafer phủ vàng như sơ đồ dưới đây: