Cơ sở mô phỏng cho hình dạng điện cực tối ưu

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) khảo sát và đề xuất các tiêu chuẩn của LED (Trang 58 - 60)

Chương III : KHẢO SÁT VÀ ĐÁNH GIÁ HÌNH DẠNG ĐIỆN CỰC LED

3.1. Bài toán hình dạng điện cực tối ư u

3.1.3. Cơ sở mô phỏng cho hình dạng điện cực tối ưu

Để kiểm chứng, đề tài xin trích dẫn một số kết quả thực nghiệm, cũng như mô phỏng về sự ảnh hưởng của hình dạng điện cực tới mật độ dòng của các cấu trúc LED/UVLED đã được thực hiện trong các báo cáo khác [3,4]. Trong đó, Shanjin Huang có mô phỏng cấu trúc LED với 2 cấu trúc điện cực khác nhau. Tác giả đã đo đạc mật độ dòng của 2 mẫu LED. Ta có thể thấy rằng khi giảm khoảng cách L, mật độ dòng cũng của LED cũng tăng lên đáng kể

Hình 3.3. Kết quả mô phỏng hình dạng điện cực có ảnh hưởng đến mật độ dòng J chạy đến điện cực.

Tương tự như vậy, nhóm tác giả Jung-Tang CHU đã chế tạo và đo đạc về công suất phát sáng của 4 mẫu LED khi lần lượt giảm khoảng cách L giữa các điện cực.

Hình 3.4. Kết quả nghiên cứu hình dạng điện cực có ảnh hưởng đến mật độ dòng J chạy đến điện cực trong 4 loại LED của nhóm tác giả Jung-Tang CHU. Kết quả cho thấy khi giảm khoảng cách L và tăng diện tích bao phủ của điện cực, sẽ làm tăng một cách đáng kể công suất phát sáng của LED. Ta có thể thấy rằng so với mẫu LED (a) thì mẫu LED(d) có hiệu suất phát sáng cao gấp 7 lần tại cường độ 1.2A. Điều đó chứng minh rằng giả thiết của mô hình đã tính toán trong luận văn là có giá trị thực tiễn, lý giải được các kết quả đã được kiểm chứng trong các bài báo đã công bố.

Dựa vào mô hình được xây dựng và tính toán trong luận văn, ta rút ra được các quy tắc để có được 1 điện cực tối ưu cho LED/UVLED như sau:

a.Khoảng cách giữa các phần tử trong điện cực phải ngắn

b. Nên có mật độ che phủ bề mặt LED/UVLED cao, nhưng đồng thời không được che phủ hết bề mặt LED. Tốt nhất điện cực nên bao gồm nhiều nhánh, có hình dạng đồng nhất với bề mặt LED

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) khảo sát và đề xuất các tiêu chuẩn của LED (Trang 58 - 60)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(90 trang)