2. Cấu trỳc và hoạt động của cỏc khõu trong mạch điều khiển:
2.6. Khõu tạo điện ỏp đúng mở van:
Vỡ IGBT là phần tử điều khiển bằng điện ỏp, giống như MOSFET nờn yờu cầu điện ỏp cú mặt liờn tục trờn cực điều khiển để xỏc định chế độ khoỏ, mở.
======================================================
Hỡnh 20: Sơ đồ đúng mở mạch điều khiển cho IGBT
Tớn hiệu mở cú biờn độ UGE , tớn hiệu khoỏ cú biờn độ - UGE cung cấp cho mạch G-E thụng qua điện trở RG ,RP .mạch G-E được bảo vệ bằng Điot ổn ỏp ở mức khoảng [-18 V , +18 V] .
Do cú tụ kớ sinh giữa G và E nờn kĩ thuật điều khiển MOSFET cú thể được ỏp dụng, tuy nhiờn điện ỏp khoỏ phải lớn hơn. Điện ỏp đúng mở ± UGE phụ thuộc vao IGBT đó chọn.
Điện trở RG ảnh hưởng đến tổn hao cụng suất điều khiển .Điện trở RG nhỏ, giảm thời gian xỏc lập tớn hiệu điều khiển ,giảm ảnh hưởng của
dU
CE , giảm tổn thất năng lượng trong quỏ trỡnhđiều khiển nhưng lại làm
dt
mạch điều khiển nhạy cảm hơn với điện cảm ký sinh trong mạch điều khiển .
CS , RS là mạch trợ giỳp để giảm thời gian đúng mở IGBT . CS cú trị số 0.1 μF
RS =10 ± 33 Ω
RP =2,2 KΩ
====================================================== ZD1 , ZD2 cú điện ỏp ổn ỏp khoảng 18V.
3.Tớnh toỏn chi tiết mạch điều khiển :
Trong toàn bộ sơ đồ mạch ta sử dụng toàn bộ 3 khuếch đại thuật toỏn . ở đõy ta sử dụng 1 IC loại TL 084 do hóng TexasInstruments chế tạo, mỗi IC này cú 4 khuếch đại thuật toỏn.
Thụng số của TL084 :
+Điện ỏp nguồn nuụi : Vcc = ± 15 (V) chọn Vcc = ± 12 (V) +Hiệu điện thế giữa hai đầu vào : ± 30 (V)
+Nhiệt độ làm việc : T = -25ữ 850 C
+Cụng suất tiờu thụ : P = 680 (mW) = 0,68 (W) +Tổng trở đầu vào : Rin= 106 ( MΩ)
+Dũng điện đầu ra : Ira = 30 ( pA).
+Tốc độ biến thiờn điện ỏp cho phộp : du/dt = 13 (V/μs)
14 13 12 11 10 9 8 - - - - + + + + - - 1 2 3 4 5 6 7 Ucc Hình 1.39 .Sơ đồ c hân IC TL084
======================================================