KĐ lớn. vậy 2 cổng NAND thiết lập trong vựng chuyển tiếp ghộp điện dung thành mạch vũng nhự hỡnh trờn ta được mạch tạo xung ( dao động đa hài)
- Vdk ở mức cao thỡ mạch sẽ phỏt xung, mức thấp thỡ ngừng phỏt xung. điện ỏp đầu vào của mỗi cổng NAND phụ thuộc vào điện ỏp ở lối ra V0 và điện trở RF
+ Nguyờn lý hoạt động.
- giả sử do tỏc động của nhiễu V 11 tăng lờn 1 chỳt, lập tức xuất hiện quỏ trỡnh hồi tiếp (+). V11 tăng → V01 giảm, → V12 giảm, → V02 giảm, → V11 càng tăng. kết quả của cổng 1 nhanh chúng chuyển thành thụng bảo hũa, cổng 2 nhanh chúng bị ngắt, mạch bức vào trạng thỏi tạo ổn định khi đú C1 được nạp điện, cũn C2 phúng điện.
- vỡ C1 được nạp qua 2 nhỏnh R1 và RF2 nờn tốc độ nạp cao hơn do đú V12 tăng nhanh quạ điện ỏp ngững VT khi đú xuất hiện quỏ trỡnh hồi tiếp (+) kết quả cụng 1 nhanh
chúng bị ngắt, cổng 2 nhanh chúng thụng mạch bức vào trạng thỏi tạo nhịp mới lỳc này C2 nạp điện cũn C1phúng điện.
- tương tự như trờn C2 nạp nhanh điện ỏp lối vào cửa 1 V11 nhanh chúng tăng qua ngững VTlàm xuất hiện quỏ trỡnh hồi tiếp (+) đưa mạch điện về trạng thỏi tạm ổn định ban đầu, cổng 1 thụng cổng 2 ngắt.quỏ trỡnh tiếp tục như vậy điện ỏp ở lối ra 2 cổng là xung vuụng ngực pha nhau
ﺡ
1 = ( RF2 // R).C
- tụ C1 nạp để V12 tăng đến VT cần một khoảng thời gian để mạch 2 chuyển trạng thỏi là: t2 =
RF1 = RF2 = RF , C1 = C2 = C VT=1.4V.T= 2(RF // R1).C
Cõu 15: Mạch tạo xung dựng IC 555