động nhanh và công suất lớn của Transistor với điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của Mosfet. Có 2 loại MCT: N-MCT và P-MCT, do cách ghép của 2 Mosfet làm cổng như hình
4. HỌ
4. HỌ
THYRISTOR
54
o Đặc tính đóng ngắt của MCT: có đặc tuyến như SCR cổ điển vì không dẫn ở điện thế nghịch hình
4. HỌ
4. HỌ
THYRISTOR
o Khả năng chịu tải của MCT:
MCT được áp dụng cho các trường hợp yêu cầu điện trở và độ tự cảm nhỏ với khả năng chịu được dòng điện lớn và di/dt cao.
MCT được sử dụng làm thiết bị phóng nạp điện cho máy bay, xe ô tô, tàu
4. HỌ
4. HỌ
THYRISTOR
56
o GTO (Gate turn – of Thyristor)
Có cấu tạo phức tạp hơn SCR cổ điển để có thể tắt SCR đang dẫn bằng cách cho xung âm vào cực G (mà trước đó đã làm SCR dẫn bằng cách xung dương vào G) hình 4. HỌ 4. HỌ THYRISTOR THYRISTOR
GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương tự như khi kích đóng SCR thông thường. Dòng điện kích đóng được tăng đến giá trị IGM và sau đó giảm xuống đến giá trị IG.
4. HỌ
4. HỌ
THYRISTOR
58
o Kích mở GTO
Điểm khác biệt so với yêu cầu xung kích đóng SCR là dòng kích iG
phải tiếp tục duy trì trong suốt thời gian GTO dẫn điện.
4. HỌ
4. HỌ
THYRISTOR
o Kích đóng GTO
Để kích ngắt GTO, xung dòng điện âm lớn được đưa vào cổng G – cathode với độ dốc (diGQ/dt) lớn hơn giá trị qui định của linh kiện, nó đẩy các hạt mang điện khỏi cathode 4. HỌ 4. HỌ THYRISTOR THYRISTOR
60
Quá trình ngắt GTO đòi hỏi sử dụng xung dòng kích đủ rộng. Điều này dẫn đến thời gian ngắt
dài, khả năng di/dt và dv/dt của GTO thấp. Vì thế,
cần phải giới hạn các trị số hoạt động không vượt quá giá trị an toàn trong quá trình ngắt GTO
4. HỌ
4. HỌ
THYRISTOR
• Sự cải tiến công nghệ chế tạo GTO thyristor đã dẫn đến phát minh công nghệ IGCT.
• GCT (Gate Commutated Thyristor) là một dạng phát triển của GTO với khả năng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng định mức dẫn qua cathode về mạch cổng trong GCT để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện. Cấu trúc của GCT và mạch tương đương của nó giống như của GTO.
• IGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả board mạch