7. Cấu trúc của luận văn
3.1.3 Tính toán giá trị điện cảm (L) tại nhánh TCR
Trong đó:
𝑉𝑟𝑚𝑠: Giá trị điện áp hiệu dụng đặt trên tụ (đơn vị là V)
𝑄𝑐: Công suất phản kháng (đơn vị là Var)
𝑃𝐿𝑜𝑎𝑑: Công suất tác dụng của phụ tải (đơn vị là W)
𝜙1: Góc lệch pha giữa điện áp và dòng điện trước khi thực hiện bù CSPK
𝜙2: Góc lệch pha giữa điện áp và dòng điện mong muốn sau khi thực hiện việc
bù CSPK
𝑓: Tần số của lưới điện (đơn vị là Hz)
Trong thực tế sản xuất, thì tải có thể thay đổi phụ thuộc vào yêu cầu của các nhà máy. Để thích ứng với việc thay đổi đó, thì giá trị tụ bù cố định nên được chọn lớn hơn sao cho đủ để cung cấp cho lượng CSPK lớn nhất có thể gây ra bởi phụ tải.
CFixed > Cright compensated
or QC Fixed > QC right compensated
Trong đó CSPK gây ra bởi phụ tải tại thời điểm hoạt động sản xuất bình thường sẽ bằng lượng công suất phản kháng mà tụ bù cần cung cấp QLoad = QC right compensated.
3.1.3 Tính toán giá trị điện cảm (L) tại nhánh TCR
Bộ SVC không trao đổi lượng công suất phản kháng với lưới điện khi mà hệ số công suất bằng 1, và dưới điều kiện hoạt động đó lượng công suất phản kháng mà nhánh tụ cố định bù thừa sẽ được hấp thụ bởi điện cảm trên nhánh TCR. Giá trị điện cảm (L) ở nhánh TCR được tính bởi công thức sau.
L = XL 2πf =
|XCFixed − XC|
2πf
(3.2)
Trong đó: XL, XCFixed, XC tương ứng sẽ là trở kháng của điện cảm (L) ở nhánh TCR, dung kháng của tụ bù cố định, và giá trị dung kháng bù đủ trong điều kiện phụ tải không tăng CSPK.