IGBT Mitshubishi CM1200HA-66H GCT Mitsubishi FGC4000BX- 90DS ETO4060 (Toshiba GTO) SG4000JX26 ETO1045 (Westcode GTO) WG10045S Điện áp khóa 3300V 4500V 6000V 4500V Điện áp hoạt động 1750VDC 3000VDC 3600VDC 3000VDC Dòng điện hoat động
2400A 4000A 4000A 1500A Độ sụt áp khi Độ sụt áp khi dẫn 6.5/2400 4.0/4000 5.0/4000 4.6/1500 1250C Độ sụt áp khi dẫn 4.1/800 2.6/1200 3.2/1200 2.6/500 1250C Thời gian ngắt [µs] 10 3 7 7 Công suất mạch kích [W] 1 179 35 10 500Hz
1.13 SO SÁNH KHẢ NĂNG HỌAT ĐỘNG CỦA CÁC LINH KIỆN
Khả năng họat động của các linh kiện bán dẫn công suất được so sánh theo hai khía cạnh công suất mang tải và tốc độ đóng ngắt được minh họa trên hình H1.36 và H1.37 dựa theo số liệu tra cứu năm 98-99 của hãng EUPEC và số liệu [44],[57].
Linh kiện GTO công suất lớn được sản xuất với khả năng chịu được điện áp/ dòng điện từ 2,5-6kV/1-6kA. GTO còn được chế tạo chứa diode ngược với tổn hao thấp, khả năng chịu điện áp/ dòng điện của nó đạt đến 4,5kV/3kA.
Linh kiện GCT đươc chế tạo gần đây có khả năng chịu được điện áp/ dòng điện 6kV/6kA với khả năng chuyển mạch gần như toàn bộ dòng điện sang mạch cổng khi kích ngắt. Cảm kháng mạch cổng giảm đến 1/100 so với loại GTO thông thường, cho phép tốc độ tăng dòng điện cổng khi kích ngắt đến diGQ/dt=6.000A/µs. Thời gian lưu trữ ts giảm còn khoảng 1/10 so với của GTO. Các tính chất cho phép GCT rất thuận tiện khi mắc song song hoặc nối tiếp và khả năng điều khiển đóng ngắt công suất lớn ngay cả không sử dụng mạch bảo vệ.
Các diode cho nhu cầu thông thường đươc chế tạo với khả năng chịu được điện áp thay đổi từ 500V đến 4kV và dòng điện từ 60A đến 3,5kA. Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh khả năng dòng đạt đến 800-1.700A và điện áp 2.800-6.000V,
Các thyristor cho nhu cầu thông thường đươc chế tạo với khả năng chịu được điện áp thay đổi từ 400V đến 12kV và dòng điện từ 1000A đến 5kA. Đối với nhu cầu đóng ngắt nhanh, khả năng dòng đạt đến 800-1.500A và điện áp 1.200- 2.500V,
Các linh kiện IGBT dạng modul được chế tạo với khả năng chịu được điện áp/ dòng điện 1,7-3,3kV/400-1.200A. Khả năng chịu điện áp cao của IGBT (HVIGB module) gần đây đã đạt đến 6kV . Các linh kiện chế tạo dạng modul tạo thuận lợi cho việc lắp đặt, kết nối mạch và làm giảm kích thước, trọng lượng của hệ thống