b. Mạch cộng khụng đảo:
2.5.3 Khuếch đại cụng suất đẩy kộo khụng biến ỏp.
Trong cỏc sơ đồ khuếch đại cụng suất đó xột dựng biến ỏp để phối hợp trở khỏng tải với tranzisto để cú cụng suất ra lớn , hiệu xuất cao. Nếu tranzisto cú hỗ dẫn S lớn thỡ cú thể mắc tải trực tiếp vào colecto của tranzisto (trở khỏng tải cú thể nhỏ tới mức chỉ vài ụm), nghĩa là khụng cần biến ỏp. Mạch khuếch đại khụng biến ỏp đơn thường mắc theo sơđồ lặp emitơđể dễ phối hợp trở khỏng. Trở khỏng ra của mạch lặp emitơ cỡ 1/S, khi S đủ lớn cú thể mắc tải khỏ nhỏ. Tuy nhiờn nếu cụng suất ra cỡ vài chục đến vài trăm mW trở lờn thỡ khụng nờn mắc lặp emitơ vỡ mạch này cú hiệu xuất nhỏ.Cỏc mạch khuếch đại khụng biến ỏp thường mắc theo sơ đồ đẩy kộo, làm việc ở chế độ B hoặc AB. Mạch cú thể dựng tranzisto khỏc loại hoặc cựng loại.
Để trỏnh phiền phức khi lựa chọn hoặc thay thế cỏc Tranzitor khỏc loại nhưng lại đồng nhất về tham số, cú thể sử dụng hai Tranzitor cựng loại như hỡnh 2.5.3.1.a. Ở đõy cú tầng khuếch đại đảo pha trờn T3 tạo ra 2 điện ỏp cựng biờn độ ngược pha để kớch thớch cho T1 và T2 mắc đẩy kộo. Ở khuếch đại đẩy kộo, Tranzitor T1 mắc colectơ chung, tranzitor T2 mắc Emitơ chung. Từ đõy ta thấy dũng Emitơ của T1 coi xấp xỉ bằn dũng Colectơ của T2thỡ dũng 1 chiều qua điện trở tải Rt coi như bằng khụng,tức qua tải chỉ cú dũng xoay chiều tần số tớn hiệu .Vỡ vậy cú thể mắc nối tiếp với tải mộ tụ Ct ,và lỳc đú cú thể dựng một nguồn và mắc như sơ đồ hỡnh 2.5.3.1b. Trong cả hai sơđồ này phải cú tần khuếch đại đảo pha T3.
http://www.ebook.edu.vn 57 Mạch điện hỡnh 2.5.3.1.c cũng tương tự như mạch hỡnh 2.5.3.1.b nhưng tầng khuếch đại đảo
pha ởđõy khụng dựng biến ỏp mà dựng khuếch đại điện trở lấy ra hai điện ỏp ở cực C và cực E ta gọi tương ứng là UC và UE(so với điểm mỏt).Với cỏch lấy ra như vậy thỡ tầng T3 được gọi là tầng đảo pha phõn tải.
Thật vậy nếu ta chọn RC≈RE thỡ điện ỏp tớn hiệu trờn RC sẽ cú biờn độ là UCm =ICm.RC, điện ỏp trờn RE sẽ cú biờn độ là UEm=IEmRE.Vỡ IEm≈Icm nờn UCm≈ UEm, mặt khỏc 2 điện ỏp này ngược pha (vỡ điện ỏp trờn cực C ngược pha với điện ỏp vào,điện ỏp trờn cực E đồng pha với điện ỏp và ).Như vậy tầng đảo pha phõn tải cũng tạo ra 2 điện ỏp cựng biờn độ ngược pha như tầng đảo pha cú biến ỏp. Tuy nhiờn tầng này khụng khuếch đại điện ỏp vỡ UEm≈ UVm= UBm.Hai điện ỏp từ 2 cực C và E đưa tới cực B của 2 tranzisto tương ứng qua hai tụ nối tầng Cn1và Cn2.Hai tranzisto T1 và T2được định thiờn riờng tương ứng bằng Rb1-Rb2 và R’b1-R’b2. Mạch ra của T1 và T2 cũng mắc như mạch hỡnh 2.5.3.1b.
Mạch điện hỡnh 2.5.3.1d là mạch đẩy kộo dựng hai loại búng khỏc tớnh với T1 là tranzisto ngược,T2-thuận,dựng nguồn đối xứng(hai nguồn riờng biệt).Do hai tranzisto khỏc loại nờn chỳng cựngđược kớch thớch bởi một điện ỏp lấy từ cực C của tầng T3(bazơ T1 và T2 với nhau và nối với đầu ra của tầng T3).Mạch ra của sơđồ này dựng hai nguồn như hỡnh 2.5.3.1a,tuy nhiờn cũng cú thể dựng một nguồn-Mạch hỡnh 2.5.3.1.e.Cần lưu ý là khi mắc như vậy thỡ hai tranzisto phải cú tham số và đặc tuyến cơ bản giống nhau. Khi làm việc ở chế độ B thỡ khi khụng cú tớn hiệu vào, cả hai tranzisto đều đúng,điện ỏp của cỏc colectơ là E0/2 (so với mỏt),dũng qua tải bằng khụng,sụt ỏp trờn tải cũng bằng khụng . Khi đưa vào tớn hiệu hỡnh sin thỡ hai tranzisto sẽ xen kẽ nhau đúng mở , cỏc dũng colectơ sẽ là cỏc dũng hỡnh sin với độ rộng bằng nửa chu kỳ(gúc cắt θ=900) ;dũng điện trong cỏc tranzisto cú chiều ngược nhau,dũng qua tải là tổng nờn cũng cú dạng hỡnh sin.
Trong cỏc mạch khuếch đại cụng suất khụng biến ỏp cú thể ổn định nhiệt bằng mạch bự hoặc mạch hồi tiếp õm như trong cỏc mạch khuếch đại đó
xột. Người ta dựng điot, tranzitor hoặc điện trở nhiệt để bự nhiệt. Vớ dụ hỡnh 2.5.3.2 là khuếch đại đẩy kộo với đầu vào của T1 và T2 đấu với hai điot D1 và D2 vừa định thiờn tạo chế độ AB, vừa bự nhiệt. Hai diot này được phõn cực thuận ,sụt ỏp trờn chỳng sẽ đặt điểm cụng tỏc cho hai tranzisto.Điện ỏp phõn cực cho T1 và T2để tạo UB0 là điện ỏp thuận sụt trờn D1 và D2, UB1,B2 = (1,1ữ1,2)V và cú hệ số nhiệt õm(-1mA/ 0C) để bự lại sự tăng dũng IC 0 theo nhiệt độ. Ngoài ra cũn tạo hồi tiếp õm ổn định nhiệt cho T1 và T2.Sự làm việc của sơđồ này cũng tương tự như hỡnh 2.5.3.1d.
Cuối cựng cần nhấn mạnh rằng, trong cỏc mạch khuếch đại cụng suất lớn,để tăng khả năng chịu dũng của cỏc tranzisto,cỏc tranzisto cụng suất cú thể được mắc song song .Ngoài ra cũn lắp cỏnh toả nhiờt để tăng độ bền của tranzisto. T1 E01 T2 E 02 D1 D2 Rt Hình 2.5.3.2 Khuếch đại định thiên bằng Diode