Điện áp trên tụ điện phía DC của bộ biến đổi có thể tăng trong các tình trạng sau đây.
Bù sự tăng điện áp, nó phụ thuộc vào góc giữa các vector dòng điện lưới Is và điện áp chèn Uinj trong pha.
Sử dụng phương pháp bù dẫn đến lệch vectơ điện áp nguồn và điện áp tải, giá trị tích vô hướng IL và Uinj có thể âm do nạp điện cho tụ điện.
Dòng điện ngắn mạch có giá trị lớn, ngay cả trong thời gian rất ngắn (đến thời gian bảo vệ tác động) có thể gây ra sự tăng nhanh điện áp trên tụ điện.
a) b)
Hình 2.23 Đường phóng của tụ điện DC: a) đường phóng qua biến áp và bộ lọc LC b) phóng qua điện trở phóng,[46,63];
Nếu các tụ điện không cần phóng điện ngay, có thể giảm điện áp bằng cách cho năng lượng quay về lưới nguồn qua việc điều khiển vị trí vector điện áp chèn vào uinj so với dòng điện is hay dẫn đến lệch pha giữa các vectơ điện áp nguồn và tải.
Nếu điện áp trên tụ điện tăng quá giá trị cho phép của nó, cần phải ngắn mạch các bộ chuyển mạch rẽ mạch và ngắt bộ biến đổi, hình 2.23(a). Bản thân việc rẽ mạch hệ thống nối tiếp có thể không đủ bởi vì tiếp tục tồn tại mạch kín trong đó có dòng điện chạy. Bởi vì các phần tử bộ lọc LC và biến áp nối tiếp có khả năng giải tỏa năng lượng hạn chế, có thể dẫn đến làm nóng các phần tử đó.
Một phương pháp có thể sử dụng tương tự hệ thống hãm áp dụng trong truyền động, hình 2.23(b). Bộ chuyển mạch bán dẫn (transistor IGBT) nối qua điện trở phóng điện Rb đảm bảo làm giảm điện áp DC. Tốc độ phóng điện có thể kiểm soát qua điều chế độ rộng xung kèm theo transistor phóng điện. Giá trị điện trở Rb có thể tính theo công thức, [27].
N DC DC DC dis b U U C T R , max , ln (2.14)
trong đó, Tdis là thời gian phóng điện yêu cầu, UDC, max, UDC, N là điện áp cực đại và điện áp danh định phía dòng một chiều bộ biến đổi.