4. Hệ số công suất:
1.4 MOSFET (Metal – Oxide – Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET là transistor có khả năng đóng ngắt nhanh và tổn hao do đóng ngắt thấp. MOSFET được sử dụng trong các ứng dụng công suất nhỏ (vài KW).
MOSFET có thể có cấu trúc NPN hoặc PNP. Hình H1.18 mô tả cấu trúc MOSFET loại NPN và ký hiệu của nó.
S (source) G (gate) D (drain) Hình H2.18: Cấu trúc MOSFET loại NPN và kýhiệu
MOSFET được điều khiển đóng ngắt bằng xung điện áp đặt vào cực cổng (G). Khi điện áp dương đặt lên giữa hai cổng G và S thì dòng điện được dẫn từ cực D tới cực S.
MOSFET có điện trở khi dẫn điện lớn nên công suất tổn hao khi dẫn điện lớn. Đặc tính V-A của MOSFET loại N như trên hình H1.19. Đặc tính có dạng giống như đặc tính V-A của BJT.
Hình H1.19: Đặc tính V-A của MOSFET
MOSFET ở trạng thái ngắt điện khi điện áp cổng thấp hơn giá trị UGS. Điện áp kích cho MOSFET phải ở dạng liên tục. Giá trị điện áp kích tối đa là ±20V.
Mạch kích MOSFET
Sơ đồ mạch kích như trên hình H1.19a. Khi có điện áp UG, tụ điện C1 tích điện và dòng điện đi vào cực G:
G G S U I R (2.5a)
Sau khi xác lập, điện áp trên cực cổng là: 1 . G G GS S G U R U R R R (2.5b)
Đối với sơ đồ hình H1.19b, khi điện áp kích U1 ở mức cao, Q1 dẫn và Q2 khóa làm cho MOSFET dẫn. Khi tín hiệu U1 ở mức thấp, Q1 ngắt, Q2 dẫn làm cho MOSFET ngắt điện.
Mạch kích cho MOSFET có thể được cách ly với mạch tạo tín hiệu điều khiển thông qua biến áp xung hoặc optron (hình H1.21a,b).
Hình H1.22: Hình dạng một số MOSFET