tăng cường kết hợp tia UV (CIP/H2O2/S2O82-/ZVI/UV,
AMO/H2O2/S2O82-/ZVI/UV)
Kết quả được thể hiện ở hình 3.27 – 3.28. Như ta thấy, tất cả các anion đều ức chế khả năng phân hủy của CIP, AMO. Sau 20 phút hiệu suất xử lý AMO ở các dung dịch không chứa bất cứ anion, NO3-, PO43-, Cl- và CO32- lần lượt là 79,76 %; 57.39%; 70,64
%; 74,79 % và 78,63 %. Đối với CIP, sau 10 phút hiệu suất xử lý CIP lần lượt 90,28 %;
82 %; 73,6 %; 70,78 % và 75,65 %. Nguyên nhân của hiện tượng này là các anion này phản ứng với các gốc tự do HO* và SO4*- tạo các gốc tự do có thế oxy hóa thấp hơn gốc tự do HO* và SO4* như NO3*- (2,3-2,5 V [126]), PO4*2-, Cl*(2,4 V)[127] và CO3*- (1,59
V)[128] làm giảm hiệu quả xử lý CIP và AMO theo các phản ứng dưới:
NO3- + HO* → NO3* + OH- (3.35)
NO3- + SO4*- → SO42- + NO3* k= 2,1 M-1s-1 (3.36) PO43- + HO* → PO4*2- + OH- k = 1,1 109 M-1s-1 (3.37)
PO43- + SO4*- → SO42- + PO4*2- (3.38)
Cl- + HO* → Cl* + OH- k = 4,3 × 109 M−1s−1 (3.39) Cl- + SO4*- → SO42- + Cl* k = 3,1 × 108 M−1s−1 (3.40)
CO32- + HO* → CO3* + OH- k = 3,9 × 108 M−1s−1 (3.41) CO32- + SO4*- → SO42- + CO3* k = 6,1 × 106 M−1s−1 (3.42)
Ngoài ra, đối với hoạt hóa dị thể, một số nghiên cứu đã báo cáo sự tạo phức của các ion photphat với các thành phần trên bề mặt của hoạt hóa dị thể. Các ion photphat có thể tạo phức trên bề mặt của sắt và oxit của nó, chẳng hạn như sắt không hóa trị [129]
Hình 3.27 Ảnh hưởng các anion đến hiệu suất phân hủy CIP trong hệ CIP/H2O2/S2O82- /ZVI/UV (đkpư: pH=3, [CIP] = 1,5 µM; t=25oC; tỉ lệ mol CIP/ H2O2/S2O82-/ZVI là 1/5/5/10,
liều lượng [anion] = 100 mg/L)
Hình 3.28 Ảnh hưởng các anion đến hiệu suất xử lý AMO bằng hệ AMO/H2O2/S2O82-
/ZVI/UV (đkpư: pH=3, [AMO] = 1,2 µM; t=25oC; tỉ lệ mol AMO/H2O2/S2O82-/ZVI là 1/50/50/100, liều lượng [anion] = 100 mg/L)