Mỗi chế độ thực nghiệm được thực hiện nhiều lần để loại trừ trường hợp có thể xảy ra các tác động nhiễu đột biến ngồi ý muốn. Sau đó, các điểm giá trị kết quả ở mỗi bước đo giống nhau được lấy giá trị trung bình từ các phiên thực nghiệm cùng điều kiện nhằm tạo ra giá trị đại diện chung để tăng cường độ chính xác của kết quả. Đồ thị thực nghiệm được tái hiện với bộ dữ liệu đã được xử lý này và làm cơ sở phát biểu các nhận xét so sánh.
Thơng thường, phương trình phản ánh mối quan hệ giữa nhiệt độ làm việc và hiệu suất hay công suất sinh điện của tấm PV được nêu như ở công thức sau [16]:
T = ref[1 – βref (T – Tref)]
Trong đó, Tref = 25oC là giá trị nhiệt độ tham chiếu (nhiệt độ phịng thí nghiệm); ref là hiệu suất sinh điện ở điều kiện nhiệt độ tham chiếu tại Tref và tổng xạ 1kW/m2 (giá trị trung bình thường là 12% với các pin thương mại hiện nay); và βref là hệ số hiệu suất – nhiệt độ (khoảng 0.45%/K). Dựa vào dữ liệu thực nghiệm, đề tài sẽ chỉ ra phương trình hồi quy thể hiện mối quan hệ hiệu suất và nhiệt độ của tấm pin. Mô hình đa thức hồi quy bậc hai được sử dụng với phương trình biểu diễn như sau:
(T) = a0 + a1T Với
( ) 0+(∑ )
{(∑ ) +(∑
0 Trong đó (T) là hàm hồi quy biểu diễn hiệu suất theo nhiệt độ [%] ; T là nhiệt
độ của mặt trên tấm pin [oC] ; Ti là các điểm dữ liệu thực nghiệm thu thập được tại các nhiệt độ làm việc khác nhau của tấm pin [oC].
Cũng theo [34], công suất sinh điện của tấm pin được tính theo cơng thức: P = GTPVrefA [1 - ref (Tc – 25)]
Trong đó, GT là tổng xạ; PV là độ xuyên thấu của lớp kính chắn PV; A là diện tích bề mặt PV; ref là hệ số công suất – nhiệt độ (khoảng 0.22 – 0.71%/K); Tc là nhiệt độ làm việc của tấm PV.
Phương trình biến đổi năng lượng trên tấm PV được xác định như sau: E = Eđ + En + El + Ett
Trong đó E là tổng xạ tới trên bề mặt diện tích của tấm pin [W] ; Eđ là lượng điện năng sinh ra của tấm pin [W] ; En là lượng nhiệt năng thu được từ tấm pin [W] ; El là năng lượng lưu trữ trong PCM hoặc các thành phần khác của hệ [W] ; và Ett là năng lượng tổn thất ra ngồi mơi trường do phản xạ, bức xạ nhiệt, truyền nhiệt và đối lưu ra môi trường [W].
Công thức xác định hiệu suất thực nghiệm của tấm pin trong toàn khoảng thời gian khảo sát là :
= Eđ/ E100%