L ỜI CẢM ƠN
3.2.2 Xây dựng mô hình toán học của PV
a. Dòng phát trong pin mặt trời
Iph = [Isc + Ki(T - Tr)] (3.1)
Trong đó:
- Isc: là dòng ngắn mạch ở nhiệt độ 250C. - Ki: Hệ số nhiệt độ của dòng điện ngắn mạch - Tr: Nhiệt độ của bề mặt pin.
- T: Nhiệt độ làm việc của pin
Hình 3.2 Dòng phát trong PV b. Dòng qua điện trở Shunt
Ish = Np
(3.2) Trong đó:
43 - Rsh: Điện trở Shunt.
- Rs: Điện trở của pin.
Hình 3.3 Dòng điện tr Shunt ở c. Dòng bão hòa ngược ở nhiệt độ Tr
Irs = (3.3)
Trong đó:
- q: Điện tích electron = 1.6x10-19C - A: Hệ số lý tưởng.
44
Hình 3.4 Dòng bão hòa ngược d. Dòng điện bão hòa của pin:
Is = Irs( ) .exp [ ] (3.4)
Trong đó:
- Eg: Năng lượng vùng cấp của chất bán dẫn, phụ thuộc vào hệ số lý tưởng và công nghệ làm pin.
- Irs: Dòng bão hào ngược ở nhiệt độ Tr. - q: Điện tích electron = 1.6x10-19C - A: Hệ số lý tưởng.
45
Hình 3.5 Dòng điện bão hòa e. Dòng qua Diode
Id = Is [exp(q . . ) 1] (3.5)
Trong đó:
- q: Điện tích electron = 1.6x10-19C - Ns: Số cell mắc nối tiếp của module - Np: Số cell mắc song song của module - Rs: Điện trở của pin
46
Hình 3.6 Dòng qua Diode f. Dòng điện ra của PV và mô hình toán học của PV
I = NpIph - NpId - Ish (3.6)
Từ đây ta xây dựng được mô hình toán học của PV như sau: