1> Dùng nguồn dòng:
Điện trở tải RC3 của Q3 nối thẳng đến VCC, do đó đối với tín hiệu thì RC3 mắc song song với trở kháng vào của Q1( Q1 mắc CC).
Hệ số khuyếch đại vòng hở:
Vì các tầng khuyếch ghép nối tiếp nhau: Muốn tăng Av thì phải tăng Av3 mà:
hfe1 » do mắc bên trong Dalington Q1→ Z=RC3//ZinQ1, Z≈RC3. Ở đây nguồn VCC không được quá lớn do đó tải Q3 cũng không thể quá lớn. Nếu tải quá lớn thì Q3 không thể hoạt động trong vùng tuyến tính được. Dù mắc Dalington có tăng trở kháng vào bao nhiêu đi nữa nhưng hệ số khuyếch đại của tầng quyết định hệ số khuyếch đại của toàn mạch. Chú ý RC3≈ Z không lớn. Do vậy, để tăng hệ số khuyếch đại cho Q3 ta dùng nguồn dòng để tăng điện trở cho tầng lái. Dùng nguồn dòng lợi dụng điện trở động rất lớn của nguồn dòng. Nói cách khác, ta thiết kế để cho tải của tầng lái Q3 là tích cực cho nguồn tạo ra.
Điện trở nguồn dòng là:
Ở đây RCE rất lớn nhưng điện trở DC nhỏ. Ta có thể thay nguồn dòng vào vị trí RC3: Tính nội trở nguồn dòng:
Ri: nội trở nguồn dòng. Nguồn dòng có nội trở Ri càng lớn thì càng ổn định và càng gần nguồn dòng lí tưởng.
Ta thấy:
Nguồn dòng bằng Transistor cho ta R1 rất lớn. Đó chính là tín hiệu R1 đối với tín hiệu AC.
Kết hợp phương trình cơ bản của tham số h ta có:
Từ công thức trên, muốn tăng R1 thì thay Rb bằng diode để Rb nhỏ, đồng thời có tác dụng ổn định nhiệt cho BJT nguồn dòng.