cổng P0 và được chốt nhờ tín hiệu ALE. Mạch chốt giữ cho byte thấp của địa chỉ ổn định trong cả chu kỳ bộ nhớ. Trong nửa chu kỳ sau của bộ nhớ, cổng P0 được sử dụng làm kênh dữ liệu, lúc này dữ liệu có thể được đọc hoặc ghi.
2.7.3.1. Bộ nhớ chương trình ngoại trú:
Để tăng khả năng ứng dụng trong các lĩnh vực điều khiển, đo lường… Bộ VĐK cho phép mở rộng không gian nhớ RAM ngoài đến 64 Kbyte và ROM ngoài đến 64 Kbyte khi cần mở rộng không gian nhớ RAM ngoài đến 64 Kbyte và ROM ngoài đến 64 Kbyte khi cần thiết. Các IC giao tiếp ngoại vi cũng có thểđược thêm vào để mở rộng khả năngxuất/nhập
và chúng trở thành 1 phầncủa không gian nhớ dữ liệu ngoài.
Khi bộ nhớ ngoài được sử dụng, cổng P0 không còn đảm nhận chức năng xuất/nhập nữa, mà nó trở thành kênh địa chỉ (A0…A7) và kênh dữ liệu đa hợp (D0…D7). Ngõ ra nữa, mà nó trở thành kênh địa chỉ (A0…A7) và kênh dữ liệu đa hợp (D0…D7). Ngõ ra
ALE chốt byte thấp của địa chỉ ở thời điểm bắt đầu của mỗi 1 chu kỳbộ nhớ ngoài. Cổng
P2 thường được dùng làm byte cao của kênh địachỉ.
Hoạt động của các bộ nhớ ngoài thường được thực hiện theo kiểu sắp xếp đa hợp, nghĩa là: trong nửa chu kỳ đầu của chu kỳ bộ nhớ, byte thấp của địa chỉ được cung cấp nghĩa là: trong nửa chu kỳ đầu của chu kỳ bộ nhớ, byte thấp của địa chỉ được cung cấp bởi cổng P0 và được chốt nhờ tín hiệu ALE. Mạch chốt giữ cho byte thấp của địa chỉ ổn định trong cả chu kỳ bộ nhớ. Trong nửa chu kỳ sau của bộ nhớ, cổng P0 được sử dụng làm kênh dữ liệu, lúc này dữ liệu có thể được đọc hoặc ghi. Quá trình truy xuất bộ nhớ ngoài được minh họa bởi hình vẽ 7.11 (Trang bên):
ĐỀ CƯƠNG MÔN HỌC KỸ THUẬT VI ĐIỀU KHIỂN
KHOA ĐIỆN –ĐIỆN TỬ - ĐHSPKT-HY_12/2004 Trang 32