Lệch pha của điện ỏp so với dũng điện tăng D: dung khỏng tăng.

Cõu 44:Chọn cõu sai khi núi về tớnh chất và ứng dụng của cỏc loại quang phổ

A:Dựa vào quang phổ vạch hấp thụ và vạch phỏt xạ ta biết được thành phần cấu tạo nguồn sỏng.

B:Mỗi nguyờn tố hoỏ học được đặc trưng bởi một quang phổ vạch phỏt xạ và một quang phổ vạch hấp thụ.

C:Dựa vào quang phổ liờn tục ta biết được nhiệt độ nguồn sỏng.

D:Dựa vào quang phổ liờn tục ta biết được thành phần cấu tạo nguồn sỏng.

Cõu 45:Tụ điện của mạch dao động cú điện dung C = 1 àF, ban đầu được điện tớch đến hiệu điện thế 100V , sau đú cho mạch thực hiện dao động điện từ tắt dần . Năng lượng mất mỏt của mạch từ khi bắt đầu thực hiện dao động đến khi dao động điện từ tắt hẳn là bao nhiờu?

A:W = 10 mJ . B:W = 10 kJ C: W = 5 mJ D:W = 5 k J

Cõu 46:Khung dao động (C = 10F; L = 0,1H). Tại thời điểm uC = 4(V) thỡ i = 0,02(A). Cường độ cực đại trong khung bằng:

A: 2.10–4(A) B: 20.10–4(A) C: 4,5.10–2(A) D: 4,47.10–2(A)

Cõu 47:Điện ỏp giữa 2 bản tụ cú biểu thức: u U cos 100 t0 3



 

    

 . Xỏc định thời điểm mà cường độ dũng điện qua tụ điện bằng

khụng: A: 1 k 300100(s) với k  N B: 1 k 30050 (s) với k  N C: 1 k 300100(s) với k  Z D: 1 k 30050(s) với k  Z

Cõu 48:Trong thớ nghiệm Y-õng về giao thoa ỏnh sỏng, khoảng cỏch giữa hai khe là 0,5 mm, khoảng cỏch từ mặt phẳng chứa hai khe đến màn là 2 m. Ánh sỏng đơn sắc dựng trong thớ nghiệm cú bước súng 0,5 m. Vựng giao thoa trờn màn rộng 26 mm (võn trung tõm ở chớnh giữa). Số võn sỏng là

A: 15. B: 17. C: 13. D: 11.

Cõu 49:Giả sử hai hạt nhõn X và Y cú độ hụt khối bằng nhau và số nuclụn của hạt nhõn X lớn hơn số nuclụn của hạt nhõn Y thỡ

A: hạt nhõn Y bền vững hơn hạt nhõn X.

B: hạt nhõn X bền vững hơn hạt nhõn Y.