1.Vật liệu bán dẫn thường được dùng nhiều nhất là : a. Bạc
b. Đồng c. Silic .* d. Thiếc
2.Trung tâm của nguyên tử được gọi là : a.Nơtron
b.Hạt nhân .* c.Điện tử d. Hĩa trị.
3.Phần phụ nguyên tử với khối lượng nhỏ nhất là : a. Điện tử .*
b. Proton c. Nơtron d. Hạt nhân
4.Tổng số hạt điện tử chứa trong lớp thứ 3 khơng vượt quá : a.2
b.8 c.18 .* d.28
5.Các điện tử ở lớp ngồi cùng được xem như là các điện tử ____ a. Chính
b. Phụ c. Cơ bản d. Hĩa trị .*
6.Tính chất cĩ hướng của điện năng được gọi là : a. Cực tính .*
b. Điện áp c. Nguồn d. Newton 7.Tĩnh điện là : a.Dịng quy ước
b. Nạp tĩnh ( khơng di chuyển ).* c. Dịng các electron
d.Dịng các proton
8. Một nguyên tử khơng cân bằng hay được nạp gọi là : a. Ion .*
b. Trơ c. Nơtron d. Hĩa trị
9. Chất dẫn dịng điện rất ít được biết như là : a. Cách điện .*
b. Dẫn điện c. Kim loại d. Cuộn dây
10. Biên độ của cường độ dịng điện được đo bởi : a. Volt
b. Watt c. Ampe .* d. Ohm
11.Tỉ số của 1 joule trên 1 coulomb được gọi là : a. Volt .*
b. Watt c. Ampe
d. Ohm
Dịng điện DC
12. Một dây được thay thế bởi dây dài gấp đơi và đường kính một nửa. Điện trở là : a. 1 / 4
b. 4 lần c. 8 lần .* d. Như nhau
13. Tất cả dịng mà đi ra khỏi một điểm trong mạch phải bằng với : a. Điện áp quanh mạch
b. Điện trở của mạch c. Tổng các dịng từ nguồn d. Dịng đi vào nút đĩ .*
14. Đối với dịng điện trong mạch tăng. Điện áp phải_____ và /hay điện trở phải ____. a. Tăng, giảm .*
b. Giảm , tăng c. Tăng , tăng d. Giảm, giảm.
15. Tính chất cĩ hướng của điện được gọi là : ____. a. Dịng*
b. Biên độ c. Pha d. Cực tính .
16. Một mạch mà dịng cĩ một chiều được gọi là _____. a. DC .*
b. AC c. AM d. FM
17.Cách năng lượng được dùng nhanh nhất là đo _____. a. Trở kháng
b. Nguồn .* c. Cơng việc d. Thế
18. Đơn vị cơ bản của năng lượng điện là : a.Volt
b.Ampe c. Ohm d. Watt .*
19.Động cơ điện DC làm việc ở 220 volts và 660 watts sẽ tạo dịng điện là : a. 1 amp
b. 2 amp c. 3 amp .* d. 4 amp
20.Mạch nối tiếp là mạch trong đĩ dịng là a. Tích của cơng suất và điện áp. b. Tổng của điện trở chia cho điện áp c. Tổng của các điện trở chia bởi điện áp
d. Giống trong mỗi phần .*
21. Mạch nối tiếp cĩ 4 điện trở 100 Ohm. Điện trở tương đương là : a. 400 Ohm .*
b. 200 Ohm c. 50 Ohm d. 25 Ohm
22. Mạch song song cĩ 4 điện trở 100 Ohm . Điện trở tương tương là : a. 400 Ohm . b. 200 Ohm c. 50 Ohm d. 25 Ohm .* 23. Mạch RC cĩ giá trị R=200 kΩ và C=8 µF cĩ thời hằng là : a. 0,4 sec (giây) b. 1,6 sec .* c. 4 sec d. 16 sec Điện AC
24. Dạng sĩng trên màn hình máy hiện sĩng thay đổi dương và âm quanh một trục là : a. Điện áp DC
b. Điện áp AC .* c. Aùp khơng đổi d. Dạng pha
25. Giá trị trung bình của một chu kỳ đầy đủ của sĩng sin thì bằng : a. 0,707 lần giá trị đỉnh
b. 0,637 lần giá trị đỉnh .* c. 2 lần giá trị đỉnh
d. 0
26. Hầu hết máy đo AC volt và đo AC Ampe được đánh mẫu để đọc : a. Giá trị RMS hiệu dụng của sĩng sin .*
b. Giá trị trung bình của sĩng sin c. 2 lần giá trị dc
d. 1 / 2 giá trị DC
27.Trở kháng của một mạch là ____ hoặc điện trở hay tổng trở một mình. a.Lớn hơn .*
b. Bằng với c. Nhỏ hơn d. 2 lần
28. Một thiết bị chuyển năng lượng điện từ mức dịng-áp này sang mức dịng –áp khác được gọi là : a. Transistor b. Tụ điện c. Diode d. Biến thế .* Diode và Transistor BJT
29. Diode dẫn điện khi nĩ : a. Được pha với nhơm b. Phân cực ngược.
c. Phân cực thuận .* d. Nạp điện âm
30. Càng thêm nhiều phốt pho vào silicon thì : a. Điện trở càng thấp .*
b. Lỗ trống được tạo ra càng nhiều. c. Nĩ trở nên trơ hơn
d. Nĩ trở nên suy yếu hơn
31. Bơm Silicon với Aluminum tạo ra hạt mang điện tự do gọi là : a. Proton
b. Điện tử c. Nơtron d. Lỗ trống . *
32.Lớp Si mỏng ở cả hai phía mối nối mà khơng cĩ hạt dẫn nào gọi là : a. Vùng suy yếu , nghèo. *
b. Vùng tối c. Vùng trơ d. Vùng đẩy
33.Ngưỡng điện áp của diode mối nối PN Si là xấp xỉ : a. 0,2 volt
b. 0,4 volt c. 0,7 volt .* d. 1,4 volt
34.Bán dẫn loại P của Diode được gọi là : a. Catốt
b. Anode * c. Nền d. Phát
35.Một nguyên tử sử dụng điện tử ở lớp ngồi cùng để : a. Oån định hĩa hạt nhân
b. Hủy khối lượng proton c. Tạo sự liên kết .* d. Phát sáng
36.Bán dẫn thuần khiết hay vật liệu bán dẫn khác là : a. Chất cách điện .* b. Chất dẫn điện c. Diode d. Transistor 37. Trong Transistor NPN, vùng P là : a. Catốt b. Cực phát c. Cực nền .* d. Cực thu
38.Khi transistor mở tất cả các đường, thì nĩ trong điều kiện ___. a. Bù
b. Bão hịa .* c. Thuận d. Nghịch
UJT, FET
39.Điều kiện dẫn của UJT :
a.VB2 >VE >VB1* b. VB2 <VE <VB1
40. Điều kiện dẫn của JFET kênh N: a. VD >>VS ≥VG * b. VD <<VS ≤VG
41.FET cĩ ưu điểm hơn BJT là : a. Tổng trở vào lớn .* b. Tổng trở ra lớn. c. Tổng trở vào nhỏ d. Tổng trở ra nhỏ.
42. Mạch dao động tích thốt tạo ra xung : a. Răng cưa .*
b. Sin c. Vuơng
d. Câu a và c đúng
Khuếch đại và Khuếch đại cơng suất
43.Mạch của hầu hết hệ thống điện tử như là TV gồm cĩ hầu hết : a. Bộ điều chế
b. Bộ dao động c. Khuếch đại .* d. Chỉnh lưu
44. Mạch khuếch đại tín hiệu điện áp trong một bước được gọi là :_______ khuếch đại áp. a. Cầu
b. Tầng .* c. Đường dẫn d. Mạng
45. Trong khuếch đại transistor, điện trở được nối từ cực nền với Vcc được gọi là điện trở _____ :
a. Phân cực .* b. Tải
c. Hồi tiếp d. Oån định hĩa
46. Nếu điện áp vào bộ khuếch đại là 0.05 volt và bộ khuếch đại tạo ra điện áp ra là 2 volt, khi đĩ hệ số khuếch đại áp là :
a. 40 .* b.120 c.200 d. 400
47. Chỉ cĩ một nửa chu kỳ của sĩng tín hiệu vào được khuếch đại ở hoạt động lớp ___. a. A
b. B .* c. C d. D
48. Điện trở emitter gây ra hồi tiếp _______. a. Hài
c. Hồi tiếp dương d. Hồi tiếp âm .*
Bộ khuếch đại thuật tốn (Op-amp)
49.Bộ khuếch đại thuật tốn là :
a. Là mạch KĐ một chiều lý tưởng cĩ ngõ vào đối xứng, ngõ ra 1 b. Là một mạch KĐVS đặc biệt.
c. Cĩ điện áp ngõ ra VL=AV. Vid = AV.(V+ - V-) d. Tất cả đều đúng.*
50. Ký hiệu của bộ khuếch đại thuật tốn là :
a) +Vcc * b) E1 S1 V- VL
V+ + E2 + S2 -Vcc -Vcc
V+ : điện áp ngõ vào khơng đảo V- : điện áp ngõ vào đảo
VL : điện áp ngõ ra AV : độ lợi, hệ số khuếch đại áp 51. Các tính chất lý tưởng của một mạch khuếch đại là :
a. A= ∞ b. Zi= ∞ c. Zo = 0 d. Tất cả đều đúng* 52. Cấu trúc Op-amp gồm cĩ :
a. 2 tầng : KĐVS và KĐCS b. 3 tầng : KĐVS, KĐ áp Av >>1 và KĐCS* c. 1 tầng : KĐVS d. Tất cả đều sai
53. Điện áp lệch khơng vào (input offset voltage) là :
a. VOS= | IB+ - IB- | *b.Điện áp DC đưa vào ngõ vào để điện áp ngõ ra bằng 0 c. Điện áp ngõ ra VO≠ 0 d.Tất cả đều sai
54. Trong mạch khuếch đại đảo dấu , AV : a. Khơng phụ thuộc thơng số của Op-amp b. Phụ thuộc thơng số của Op-amp
c. Phụ thuộc vào các phần tử mạch hồi tiếp (điện trở) d. Câu a và c đều đúng.*
55. Bộ khuếch đại khơng đảo dấu tín hiệu cĩ AV : a. AV= 1 + R2/R1 * b.AV= -R2/R1 c. AV= R1/R2 d. R1
R1 + R2
56. Tổng trở vào của mạch khuếch đại khơng đảo :
a. Zi= Rid. AOL/AV b.Lớn hơn tổng trở vào của mạch đảo c. Nhỏ hơn tổng trở vào của mạch đảo d.Câu a và b đúng *
57. Mạch khuếch đại cộng cĩ : a. VL = -(Rf.V1 + Rf.V2) b. VL= -(V1 + V2) Khi Rf = R1 = R2 R1 R2 c.VL= -Rf.(V1 + V2) Khi R1 = R2 d. Tất cả đều đúng.* R1 Mạch logic số
58. Mạch đơn giản nhất trong máy tính hay hệ thống số khác được gọi là : a. Bộ khuếch đại.
b. Cổng logic. c. Chỉnh lưu
d. Bộ cộng.*
59. Mạch thực hiện chức năng NOT được gọi là : a.Chuyển đổi.
b. Mạch lật. c. Cổng OR.
d. Ngịch đảo (inverter).*
60. Ngõ ra của cổng ________ là 1 chỉ nếu tất cả ngõ vào là 1. a.NOT
b. NOR c. OR d. AND.*
61.Nếu tất cả ngõ vào là 0, thì ngõ ra là 0 đối với cổng _______. a.OR.*
b.NOR c.AND d.câu b và c
62. Cổng AND được theo sau bộ đảo sẽ làm việc như là : a.Cổng NAND.*
b.Cổng NOR c.Bộ đảo âm