tuyến cao trong cấu trúc dị thể nhiều lớp
Một số nghiên cứu thực nghiệm trong những năm gần đây đã đa ra một loại vật liệu phi tuyến quang học mới [10]. Tính chất phi tuyến quang học cảm ứng bởi dòng điện trong các lớp AlAs/GaAs dị thể có thể gây nên lỡng ổn định quang học có công suất phát cỡ 120 nW với cờng độ ngỡng chỉ vào cỡ 5,5 mW/cm2 .
Để tạo ra các thiết bị quang mới thì nghiên cứu các vật liệu có tính phi tuyến quang mạnh là rất cần thiết. Do đó trớc hết quan tâm đến các vật liệu phi tuyến quang có thể tạo nên lỡng ổn định với công suất ngỡng thấp. Năm 1992 lỡng ổn định quang học trong cấu trúc chu kỳ AlAs/GaAs đã đợc nghiên cứu thành công. Thiết bị này đã phát công suất ra tại mức cờng độ 10KW/cm2. Bằng cách áp một điện áp một chiều vuông góc với các lớp tinh thể, khi tăng điện áp đến một giá trị nào đó thì tính chất phi tuyến cảm ứng điện trong cấu trúc chu kỳ xuất hiện. Nó sẽ làm cho ngỡng lỡng ổn định quang giảm đi ít nhất là ba bậc, vào khoảng 1,4W/cm2. Mẫu mang tính hiện tợng luận có tính phi tuyến và lỡng ổn định này đợc đề xuất với hai trạng thái: trạng thái chuyển dời điện tích và trạng thái lu giữ điện tích. Mẫu này có thời gian đóng mở quang nhỏ hơn 100 ns và mật độ năng lợng đóng mở nhỏ hơn 1fJ/μm2.
Trong thí nghiệm của Cada ngỡng lỡng ổn định đã giảm xuống đợc ba bậc. Tuy nhiên cấu trúc chu kỳ với các tinh thể mới đó đã tối u cha vẫn là một câu hỏi đặt ra.