- SDRAM: Bus: 100Mhz, 133Mhz
2. Nguyờn lý đọc/ghi từ tớnh.
Trờn vật liệu dẻo như polime hay vật liệu cứng như gốm hoặc nhụm người ta phủ một lớp mỏng chất cú chứa sắt từ, lớp này cú khả năng thẩm từ và duy trỡ từ tớnh sau khi tỏc động lờn chỳng một từ trường mang nội dung thụng tin.
Tớnh thẩm từ là tớnh chất cú thể cho từ thụng xuyờn qua một cỏch dễ dàng và chịu sự tỏc động của từ thụng đú.
Tớnh duy trỡ từ tớnh hay tớnh nhiễm từ, là khả năng lưu lại từ tớnh sau khi ngừng tỏc động từ trường từ bờn ngoài.
Chất sắt từ là những chất cú độ thẩm từ và tớnh duy trỡ từ tớnh cao.
91
Bộ phận then chốt trong việc đọc/ghi là đầu từ. Đầu từ cú nguyờn lý cấu tạo giống nam chõm điện, trong đú cỏc cực lừi đầu từ được làm bằng hợp kim sắt từ, hỡnh khuyờn, cú một khe hở nhỏ đồng thời là điểm tiếp xỳc của đầu từ với lớp sắt từ của băng hay đĩa từ. Quanh lừi từ cú quấn một cuộn dõy, cú điểm giữa nối mỏt để chống nhiễu.
Khi ghi, dũng điện chạy trong cuộn dõy AB cú cường độ tương ứng với cỏc bit thụng tin cần ghi, tạo ra một từ trường xỏc định trong lừi hỡnh khuyờn. Qua khe hở từ thụng của từ trường này tỏc động xuống lớp sắt từ, lớp sắt từ được thẩm từ và duy trỡ từ tớnh tương ứng với bit thụng tin. Như vậy từ trường dọc theo đường ghi thay đổi theo quy luật của dũng điện mang thụng tin chạy qua cuộn dõy AB.
Khi đọc, ngược lại với quỏ trỡnh ghi, theo nguyờn lý cảm ứng điện từ sự biến thiờn của từ trường dọc theo đường ghi sinh ra dũng điện cảm ứng trong cuộn dõy AB, dũng điện này tương ứng với dũng điện đó dựng để ghi thụng tin trờn đĩa.
92