Hằng số thời gian: mô tả đáp ứng bước của đầu thu của đầu thu với bước thay đổi của mức chiếu xạ (dùng chùm tia ngắt đoạn nhờ tấm chắn quay hoặc nhờđiề u

Một phần của tài liệu Tóm tắt bài giảng môn học Quang điện tử và Quang điện (Trang 35 - 36)

biến công suất nguồn). Đầu thu sẽ biểu hiện như mạch lọc thông thấp và cho lối ra khác nhau với tốc độđiều biến hoặc tốc độ ngắt khác nhau. Có thểđặc trưng hóa bởi thời gian lên.

- Nếu quá trình quá độ có dạng Aexp(-t/T ) thì T là hằng số thời gian với đầu ra của 1 hệ thống bậc 1 bị kich thích bởi xung, hằng số thời gian T là thời gian cần để đạt 63,2 % toàn bộ sườn lên hoặc sường xuống .

- Hằng số thời gan đôi khi còn gọi là thời gian 1/e hoặc (1- 1/e)

- Trên giản đồ Bode của bộ lọc thông cấp bậc 1, tần số -3dB, fb, liên quan với hằng số thời gian: fb= T π 2 1

- Thời gian lên của xung: tr (khoảng thời gian từ 10% Æ90% đỉnh xung) với bộ lọc thông thấp RC: tr= 2,2RC= 2,2T

d) Công suất nhiễu tương đương (NEP): là công suất bức xạ tạo ra tỷ số S/N =1 ởđầu ra của detector (ở một tần số cho trước, và với một độ rộng băng nhiễu cho trước), đơn vị là watts per (hertz)1/2.

- Một số nhà cung cấp định nghĩa NEP là công suất bức xạ tạo ra tỷ số tín hiệu / nhiễu dòng tối =1

+ Vì hằng số thời gian ảnh hưởng lên biên độ dầu ra của linh kiện, do đó tần số điều chế và dạng sóng phải được xác định trước.

+Biên độ tín hiệu thu, công suất nhiễu, dòng nhiễu và điện áp nhiễu phụ thuộc vào độ rộng băng tần số điện của hệ đo, được gọi là độ rộng băng nhiễu hiệu dụng. Chỉ có các giá trị NEP đo hoặc chỉnh với cùng độ rộng băng mới có thểđược so sánh trực trực tiếp .

e) Detectivity: là nghịch đảo của NEP + Đôi khi người ta dùng độ thu chuẩn hóa: D* = [A(∆f)]1/2/NEP

với NEP/[A(∆f)]1/2 là NEP chuẩn hóa theo đơn vị diện tích và đơn vịđộ rộng băng.

A: diện tích miền nhạy quang của detector, ∆f: effective noise bandwidth

Một phần của tài liệu Tóm tắt bài giảng môn học Quang điện tử và Quang điện (Trang 35 - 36)