xa trờn mặt đất.
Cõu 6: Trong mạch RLC mắc nối tiếp , độ lệch pha giữa dũng điện và hiệu điện thế giữa hai
đầu đoạn mạch phụ thuộc vào
A. Hiệu điện thế hiện dụng giữa hai đầu đoạn mạch. B. Cỏch chọn gốc thời gian.C. Cường độ dũng điện hiện dụng trong mạch. D. Tớnh chất của mạch điện. C. Cường độ dũng điện hiện dụng trong mạch. D. Tớnh chất của mạch điện.
Cõu 7: Một con lắc lũ xo gồm lũ xo cú độ cứng 20 N/m và viờn bi cú khối lượng 0,2 kg dao
động điều hũa.Tại thời điểm t, vận tốc và gia tốc của viờn bi lần lượt là 20 cm/s và 2 3
m/s2. Biờn độ dao động của viờn bi là
A. 4 cm.. B. 16cm. C. 4 3cm. D. 10 3 cm.
Cõu 8: Lần lượt chiếu vào catốt của 1 tế bào quang điện 2 bức xạ đơn sắc f và 1,5f thỡ động
năng ban đầu cưc đạicủa cỏc electron quang điện hơn kộm nhau 3 lần .Bước súng giới hạn của kim loại làm catốt cú giỏ trị
A. λ0 =34cf B. λ0=43cf C. λ0 =23cf D. λ0 = cf
Cõu 9: Tụ điện của mạch dao động cú điện dung C = 1 àF, ban đầu được điện tớch đến hiệu
điện thế 100V , sau đú cho mạch thực hiện dao động điện từ tắt dần . Năng lượng mất mỏt của mạch từ khi bắt đầu thực hiện dao động đến khi dao động điện từ tắt hẳn là bao nhiờu?
A. ∆W = 10 mJ B. ∆W = 10 kJ C. ∆W = 5 mJ D. ∆W = 5 k J
Cõu 10: Điện năng ở một trạm phỏt điện được truyền đi dưới hiệu điện thế 2 kV và cụng suất
200 k W. Hiệu số chỉ của cỏc cụng tơ điện ở trạm phỏt và ở nơi thu sau mỗi ngày đờm chờnh lệch nhau thờm 480 kWh. Hiệu suất của quỏ trỡnh truyền tải điện là
A. H = 95 % B. H = 85 % C. H = 80 % D. H = 90 %
Cõu11: Dung khỏng của một mạch RLC mắc nối tiếp đang cú giỏ trị nhỏ hơn cảm khỏng.
Muốn xảy ra hiện tượng cộng hưởng điện trong mạch ta phải
A. giảm tần số dũng điện xoay chiều. B. tăng điện dung của tụ điệnC. tăng hệ số tự cảm của cuộn dõy. D. giảm điện trở của mạch. C. tăng hệ số tự cảm của cuộn dõy. D. giảm điện trở của mạch. Cõu 12: Giới hạn quang điện của mỗi kim loại là
A. Bước súng ngắn nhất của bức xạ chiếu vào kim loại đú mà gõy ra được hiện tượng quang
điện
B. Cụng lớn nhất dựng để bứt khỏi electron ra khỏi bề mặt kim loại đúC. Cụng nhỏ nhất dựng để bứt khỏi electron ra khỏi bề mặt kim loại đú C. Cụng nhỏ nhất dựng để bứt khỏi electron ra khỏi bề mặt kim loại đú