IV. Transistor hiệu ứng tr−ờng (FET – Field effect Transistor)
b.Nguyên tắc làm việc
Nguyên tắc hoạt động của MOSFET kênh loại P và MOSFET kênh loại N giống nhau nh−ng cực tính nguồn cung cấp ng−ợc nhau.
MOSFET kênh có sẵn (loại N)
Khi transistor làm việc thông th−ờng cực nguồn S đ−ợc nối với đế của linh kiện và nối đất nên US = 0. Các điện áp đặt vào các chân cực cửa G và cực máng D là so với chân cực S.
Các chân cực đ−ợc cấp nguồn sao cho dòng điện chạy từ cực S tới cực D, điện áp trên cực cửa sẽ quyết định MOSFET làm việc ở chế độ giàu hạt dẫn hay nghèo hạt dẫn.
Khi UGS = 0 trong mạch vẫn có dòng điện cực máng (dòng các hạt điện tử) nối giữa cực S và cực D
Khi UGS > 0 điện tử bị hút vào vùng kênh đối diện với cực cửa làm giàu hạt dẫn cho kênh, tức là làm giảm điện trở của kênh do đó tăng dòng cực máng ID. Chế độ làm việc này gọi là chế độ giàu của MOSFET
Khi UGS < 0 qúa trình xảy ra ng−ợc lại, tức là điện tử bị đẩy ra xa kênh dẫn làm điện trở của kênh tăng lên, do vậy dòng cực máng ID giảm. Chế độ này gọi là chế độ nghèo hạt dẫn của MOSFET.
MOSFET kênh cảm ứng (loại N)
Loại MOSFET này kênh dẫn chỉ xuất hiện trong quá trình làm việc Khi UGS ≤ 0, kênh dẫn không tồn tại, dòng ID = 0
Khi UGS > 0 tại vùng đế đối diện cực cửa xuất hiện các điện tử tự do và hình thành kênh dẫn nối giữa nguồn và máng. Độ dẫn điện của kênh phụ thuộc vào UGS. Nh−
vậy, MOSFET kênh cảm ứng chỉ làm việc với một loại cực tính của UGS và chỉ ở chế độ giàu.
D−ới đây là hình minh hoạ cho các tr−ờng hợp trên với từng loại EMOSFET. Chế độ giàu
hạt dẫn
Chế độ nghèo hạt dẫn
Ch−ơng III: Linh kiện tích cực
Họ đặc tuyến đầu ra của EMOSFET