I DSS Chế độ nghèo
4.5.5.UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐƠN NỐI).
3. Phân cực hồi tiếp
4.5.5.UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR ĐƠN NỐI).
Transistor thường (BJT) gọi là Transistor lưỡng cực vỡ cú hai nối PN trong lỳc UJT chỉ cú một độc nhất nối P-N. Tuy khụng thụng dụng như BJT, nhưng UJT cú một số đặc tớnh đặc biệt nờn một thời đó giữ vai trũ quan trọng trong cỏc mạch tạo dạng súng và định giờ.
1. Cấu tạo và đặc tớnh của UJT:
Hỡnh sau đõy mụ tả cấu tạo đơn giản hoỏ và ký hiệu của UJT
Một thỏi bỏn dẫn pha nhẹ loại n- với hai lớp tiếp xỳc kim loại ở hai đầu tạo thành hai cực nền B1 và B2. Nối PN được hỡnh thành thường là hợp chất của dõy nhụm nhỏ đúng vai trũ chất bỏn dẫn loại P. Vựng P này nằm cỏch vựng B1 khoảng 70% so với chiều dài của hai cực nền B1, B2. Dõy nhụm đúng vai trũ cực phỏt E.
Ký hiệu của Transistor một tiếp giỏp UJT như trong hỡnh B09.2 a và b. Đốn
Page 78
Hỡnh B09.1. Hỡnh B09.2.
Trở khỏng giữa base 1 và base 2 được đo khi dũng emitter =0 được gọi là “trở khỏng giữa cỏc base” (interbase) RBB và cú giỏ trị điển hỡnh khoảng 5K – 10 K Ohm.
Hỡnh B09.3 chỉ ra mạch tương đương đơn giản của UJT với cực Base loại N. Trở khỏng RBB được phõn đụi bởi chuyển tiếp P-N (biểu thị bởi diode) thành 2 điện trở RB1 và RB2 , mà tổng của nú bằng RBB .
Trong chế độ hoạt động thụng thường, điện ỏp VBB được cung cấp cho base 1 và base 2, với base 2 dương hơn so với 1. Khi khụng cú dũng IE , thanh bỏn dẫn sẽ hoạt động giống như một bộ phõn ỏp đơn giản và cú một phần điện ỏp xỏc định của VBB xuất hiện trờn RB1. Tỷ số n được gọi là “tỷ số cõn bằng (stand-off) nội” và giỏ trị của nú khong khoảng 0,5 đến 0,9 . Tỷ số này được cho bởi:
Điện ỏp VBB khiến cathode của diode của dương hơn so với B1 và cú giỏ trị điện thế n.VBB . Nếu điện ỏp emitter VE nhỏ hơn giỏ trị này, chuyển tiếp sẽ được phõn cực ngược và chỉ cú một dũng emitter ngược nhỏ chảy qua.
Nếu VE lớn hơn (nVBB + VD) , với VD là điện ỏp ngưỡng của chuyển tiếp, thỡ diode sẽ được phõn cực ngược và cú một dũng emitter thuận IE chảy qua. Dũng này do cỏc lỗ trống “khuếch tỏn” vào phần thấp hơn của thanh bỏn dẫn và làm tăng độ dẫn (do số lượng cỏc hạt dẫn tự do tăng). Điều này khiến cho điện trở RB1 giảm. Khi RB1 giảm, điện ỏp n.VBB cũng giảm, bởi thế cú sự gia tăng điện ỏp thuận qua diode và tất nhiờn dũng qua diode cũng tăng. Quỏ trỡnh
Page 79
tớch luỹ này tiếp tục cho đến khi đạt đến giỏ trị dũng IE tức đạt đến trạng thỏi b•o hoà của thanh bỏn dẫn tại miền RB1 . Bắt đầu từ cỏc điều kiện này, điện ỏp VE , mà cú giỏ trị nhỏ nhất Vv (điện ỏp điểm trũng - valley voltage), bắt đầu tăng khi dũng tăng, giống như đặc tuyến thụng thường của diode.
Đặc trưng của đặc tuyến dũng/ỏp của UJT như chỉ ra ở hỡnh B09.4. Trong đường cong này, cú 3 miền làm việc:
1. 0 < VE < VP : dũng IE là rất nhỏ và trở khỏng vào rất cao.
2. VP < VE < Vv : trở khỏng vào là õm, cú nghĩa một sự gia tăng dũng sẽ khiến cho điện ỏp giảm.
3. VE > Vv : trở khỏng vào lại trở nờn dương và cú giỏ trị tương tự với trở khỏng của diode khi dẫn.
Cỏc điểm đặc trưng:
1. VP được gọi là điện ỏp đỉnh và bằng: VP = n.VB2B1 + VD = n.VBB + VD. 2. Vv : điện ỏp điểm trũng.
3. Iv : dũng điện điểm trũng.
Transistor UJT được dựng chủ yếu trong cỏc mạch chuyển mạch, định thời, mạch trigger và mạch tạo xung.
Page 80