b. Đặc tuyến truyền đạt của JFET
2.4.3.1MOSFET kênh tạo sẵn
Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh tạo sẵn thể hiện ở hình vẽ dưới đây:
MOSFET loại D có thể hoạt động ở một trong hai chế độ : +Chế độ giàu (phân cực để làm kênh dẫn giàu thêm) +Chế độ nghèo(phân cực để làm kênh dẫn nghèo đi)
MOSFET loại D hoạt động ở chế độ nào là tuỳ vào điện áp đặt tới cực cửa(Gate). Với MOSFET loại D kênh n hoạt động ở chế độ nghèo khi điện áp đặt tới cực cửa là điện áp âm và hoạt động ở chế độ giàu khi điện áp đặt tới cực cửa là điện áp dương.
Ta xét hoạt động của MOSFET loại D kênh n ở cả hai chế độ là chế độ giàu và chế độ nghèo
Cực cửa và kênh dẫn có thể xem như hai bản tụ song song, lớp SiO2 cách điện có thể xem như chất điện môi của tụ. Do điện áp đặt tới cực cửa là điện áp âm nên điện tích âm ở cực cửa đẩy các e tự do trong kênh dẫn ra xa kênh dẫn do đó làm kênh dẫn nghèo đi điện trở kênh dẫn tăng lên, dòng qua kênh dẫn giảm. Khi điện áp đặt tới cực cửa G
càng âm kênh dẫn càng nghèo dòng qua kênh dẫn càng giảm. Khi điện áp VGS đủ âm
(VGS = VGS(off) kênh dẫn trở nên nghèo kiệt và dòng ID qua kênh dẫn = 0.
*Chế độ giàu
Điện áp đặt tới cực cửa là điện áp dương, điện áp này kéo các e tự do ở miền p về phía kênh dẫn làm cho kênh dẫn giàu thêm, điện trở kênh dẫn giảm, dòng điện chạy qua kênh dẫn tăng:
MOSFET kênh cảm ứng chỉ hoạt động ở chế độ giàu không có chế độ nghèo, khi chưa có điện áp phân cực thích hợp thì kênh dẫn nối giữa D và S chưa hình thành. Kênh dẫn chỉ hình thành khi có điện áp thích hợp đặt tới cực cửa của MOSFET kênh cảm ứng. Hình vẽ dưới đây thể hiện cấu tạo của MOSFET kênh cảm ứng loại kênh n:
Trong các mạch điện E-MOSFET được kí hiệu như sau:
*Hoạt động
Với E-MOSFET kênh n, để hình thành kênh dẫn cần đặt tới cực G điện áp dương
đủ lớn VGS >VGS(th) . Điện áp dương này làm xuất hiện lớp mỏng các điện tích âm ở
miền vật liệu nền dọc theo lớp vật liệu cách điện SiO2 lớp điện tích mỏng này chính là
thêm, còn nếu điện áp đặt tới cực cửa G nhỏ dưới mức ngưỡng hình thành kênh dẫn thì kênh dẫn không được hình thành.