pn, pn,nn, np: nồng độ tương ứng các hạt dẫn
Umở có giá trị là 0,3V với loại mặt ghép P-N làm từ Ge, và là 0,7V với P-N là từ Si từ Ge, và là 0,7V với P-N là từ Si
ĐIÔT BÁN DẪN
Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu (…)
ĐIÔT BÁN DẪN
Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu (…)
Hình trên chỉ ra điện áp 1 chiều cung cấp cho mặt ghép P-N, cực âm
nối với miền P, cực dương nối với miền N, và gọi điện áp đó là Vng.
Cực dương của điện áp nguồn sẽ hút các electron tự do, là các hạt đa
số trong miền N ra khỏi mặt ghép P-N.
Trong miền N, khi các electron di chuyển về phía cực dương của nguồn
thì các ion dương được tạo ra và kết quả làm cho vùng nghèo rộng ra.
Trong miền P, các electron từ cực âm của nguồn di chuyển qua các lỗ
trống và đến vùng nghèo tạo ra các ion âm. Kết quả làm vùng nghèo rộng ra.
Khi phân cực ngược, miền P và N nghèo các hạt dẫn đa số, dòng điện
chạy qua mặt ghép P-N là rất nhỏ và có thể bỏ qua, và đạt đến 1 giá
ĐIÔT BÁN DẪN
Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu (…)
ĐIÔT BÁN DẪN
Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu (…)
Cực dương nối miền P, cực âm nối miền N.
Điện áp Vth phải lớn hơn điện áp mở.
Khi phân cực thuận, cực âm của nguồn sẽ đẩy các electron tự do trong
miền N (là các hạt đa số) qua mặt ghép P-N.
Dòng các electron gọi là dòng điện tử.
Điện áp nguồn truyền đủ năng lượng cho các electron tự do để chúng
vượt qua vùng nghèo và tới được miền P.
Ở miền P, các electron dẫn điện này bị mất NL và tái hợp với các lỗ
trống ở vùng hóa trị.
ĐIÔT BÁN DẪN
Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu (…)
Dòng điện chạy qua mặt ghép P-N khi phân cực thuận là: thuận là:
Ith = Is.e(qU/KT)