Ch-ơng 2: xây dựng hệ thống biến đổi dc/ac từ
2.3.3.2. Quỏ trỡnh khúa của Mosfet.
Hỡnh 2.15.Quỏ trỡnh khúa của Mosfet
Quỏ trỡnh khúa của mosfet cũng được chia làm bốn giai đoạn:
Giai đoạn thứ nhất: Là quỏ trỡnh xả điện tớch trờn tụ CGS,DS từ giỏ trị ban đầu đến giỏ trị miller, điện ỏp trờn cực D của Mosfet bắt đầu tăng dần nhưng rất nhỏ, dũng điện trờn cực D ( ID) khụng đổi.
Giai đoạn thứ hai: Điện ỏp giữa hai cực D - S của Mosfet sẽ tăng từ giỏ trị UDS = ID.RDS(on) tới giỏ trị cuối UDS(off).
Trong suốt giai đoạn này dũng điện trờn cực D vẫn giữ khụng đổi. Dũng điện của cực G hoàn toàn là dũng xả của tụ trờn cỏc cực của Mosfet.
Giai đoạn thứ ba: Điện ỏp cực G giảm từ giỏ trị Miller đến giỏ trị giữ mẫu UTH. Phần lớn dũng điện xả trờn cực G là phúng trờn tụ CGS.
Giai đoạn này điện ỏp UGS và dũng điện ID đều giảm tuyến tớnh. Trong khi đú điện ỏp UDS vẫn giữ nguyờn giỏ trị UDS(OFF).
Giai đoạn thứ tư: Giai đoạn này là quỏ trỡnh phúng điện hoàn toàn của tụ điện trờn cỏc cực của Mosfet, UGS giảm đến giỏ trị 0V. Dũng điện trờn cực D giảm về giỏ trị 0 và khụng đổi.
Túm lại quỏ trỡnh mở - khúa của Mosfet là quỏ trỡnh chuyển mạch giữa trạng thỏi trở khỏng cao và trạng thỏi trở khỏng thấp được thực hiện trong bốn giai đoạn.
Độ dài khoảng thời gian của cỏc giai đoạn được quyết định bởi giỏ trị điện dung giữa cỏc cực, điện ỏp đặt vào cực điều khiển, và dũng điện nạp xả của cỏc tụ điện trờn cực G. Đõy là thụng số quan trọng để thiết kế mạch điều khiển Mosfet trong cỏc ứng dụng cú tần số đúng cắt lớn.