- Phân tích các sơ đồ.
Tải lọcT1 T
5.2.2. Tớnh tầng khuếch đại cuối cựng.
Chọn Transistor công suất loại 2SC911 của Mỹ sản xuất làm việc ở chế độ xung có các thông số sau:
Transistor loại npn, vật liệu bán dẫn là Silic.
Điện áp giữa colectơ và Bazơ khi hở mạch Emitơ UCBo = 40V. Điện áp giữa Emitơ và Bazơ khi hở mạch Colectơ: UEBo = 4V. Dòng điện lớn nhất mà Colectơ có thể chịu đ-ợc: ICmax=500mA Công suất tiêu tán trên Colectơ: PC = 1,7W. Nhiệt độ lớn nhất trên mặt tiếp giáp: TCP = 175oC.
Hệ số khuếch đại: = 50.
Dòng làm việc của Colectơ: IC3 = I1 = 0,2A = 200mA. Dòng làm việc của Bazơ: IB3 = IC3/ = 200/50 = 4mA
Ta thấy rằng với loại Tiristor đã chọn có công suất điều khiển khá bé: Uđk = 4V và Iđk = 0,4A nên dòng colectơ - Bazơ của Transistor Tr3 là khá bé nên trong tr-ờng hợp này không cần thiết phải có Transistor Tr3 mà Tr2 vẫn có đủ công suất để điều khiển Tiristor.
Chọn nguồn cấp cho biến áp xung E = +12V ta phải mắc thêm điện trở R15 nối tiếp với cực emitơ của Transistor 2, để đảm bảo điện áp đặt lên cuộn sơ cấp biến áp xung là 8V.
202 2 , 0 8 12 1 1 15 I U E R
Chọn điện trở R15 = 22 và có công suất là 1W
Công suất tiêu tán trên điện trở là: P0 = R15I12 = 22.0,22 = 0,88W.
Hỡnh 5.8: Sơ đồ tầng khuếch đại cuối cựng.
Tất cả các diode dùng trong mạch điều khiển đều dùng lọai 1N4009 có các thông số:
Dòng điện định mức: Iđm = 10A. Điện áp ng-ợc cực đại: UNG max =25V. Điện áp để cho diode mở thông: Um = 1V.
5.2.3. Cổng AND.
Toàn bộ mạch điện phải dùng 9 cổng AND nên ta chọn dùng 3 IC 4081 họ CMOS. Mỗi IC 4081 có 4 cổng AND có các thông số sau:
Nguồn nuôi IC: VCC = 3 18V. ta chọn VCC = 12V Nhiệt độ làm việc: -40oC 80oC.
Điện áp ứng với mức logic “1”: 2 4,5V. Dòng điện làm việc nhỏ hơn: 1mA
Công suất tiêu thụ: P = 2,5mW/1 cổng.