- Phân tích các sơ đồ.
4.3.4.3. Khâu tạo xung.
Có nhiệm vụ tạo xung thích hợp để mở Tiristor. Xung để mở Tiristor có yêu cầu: s-ờn tr-ớc dốc thẳng đứng để đảm bảo yêu cầu mở Tiristor tức thời khi có xung điều khiển ( th-ờng gặp nhất là loại xung kim và xung chữ nhật ), đủ độ rộng ( với độ rộng xung lớn hơn thời gian mở của Tiristor ), đủ công suất, cách ly mạch lực với mạch điều khiển ( nếu điện áp động lực quá lớn ).
Hỡnh 4.20:Sơ đồ xung kim và xung chữ nhật.
Đây đều là các tầng khuếch đại công suất kết hợp với BAX ở đầu ra có nhiệm vụ cách ly giữa mạch điều khiển và mạch lực đồng thời tạo xung kim gửi tới cực điều khiển của Tiristor.
Sơ đồ hình (a) dùng một tầng khuếch đại công suất dùng Transistor công suất, điốt D để bảo vệ Transistor và cuộn dây sơ cấp BAX khi Transistor bị khóa đột ngột. Mặc dù với -u điểm là đơn giản nh-ng sơ đồ này đ-ợc dùng không rộng rãi bởi lẽ hệ số khuếch đại của Transistor loại này nhiều khi không đủ lớn để khuếch đại đ-ợc tín hiệu từ khâu so sánh đ-a sang.
Hỡnh 4.21: Một số sơ đồ khõu khuếch đại được dựng phổ biến.
Tầng khuếch đại cuối cùng bằng sơ đồ Darlington nh- trên sơ đồ (b) th-ờng hay đ-ợc sử dụng trong thực tế. Sơ đồ này hoàn toàn có thể đáp ứng đ-ợc yêu cầu về khuếch đại công suất, khi hệ số khuếch đại đ-ợc nhân lên theo thông số của các Transistor.
Trong thực tế xung điều khiển chỉ cần có độ rộng bé ( 10 200 s ) mà thời gian mở của các Transistor công suất dài ( tối đa tới một nửa chu kỳ 10 ms ) làm cho công suất tỏa nhiệt d- của Transistor quá lớn và kích thích dây quấn sơ cấp BAX d- lớn. Để giảm nhỏ công suất tỏa nhiệt Transistor và kích thích dây sơ cấp BAX có thể thêm tụ nối tầng nh- hình (c), theo sơ đồ này thì Transistor cho mở dòng điện chạy qua trong thời gian nạp tụ, nên dòng hiệu dụng của chúng bé hơn nhiều lần.