CHẾ TẠO NGUỒN XUNG LƯỠNG CỰC

Một phần của tài liệu Chế tạo nguồn xung lưỡng cực cho thí nghiệm công nghệ mạ mới (Trang 39)

LM3524 cú một số thụng số kỹ thuật sau:

CHẾ TẠO NGUỒN XUNG LƯỠNG CỰC

2.1 THIẾT KẾT VÀ PHÂN TÍCH NGUYấN Lí HOẠT ĐỘNG SƠĐỒ KHỐI CHI TIẾT

2.1 THIẾT KẾT VÀ PHÂN TÍCH NGUYấN Lí HOẠT ĐỘNG SƠĐỒ KHỐI CHI TIẾT nghệ mạ mới” ta thiết kế sơđồ khối chi tiết như hỡnh vẽ 31.

2.1.2. Phõn tớch nguyờn lý hot động sơđồ khi chi tiết

Mỏy phỏt xung sử dụng IC LM3524 để tạo ra xung vuụng cú độ rộng và tần số cú thểđiều chỉnh được bằng đường điều khiển độ rộng và tần số nhờ chuyển mạch ( Tần số từ 1Hz-1500Hz, độ rộng xung thay đổi từ 50-80% của chu kỳ xung). Xung lối ra của mỏy phỏt xung được đưa vào mạch đo tần số và khối tạo thời gian nghỉ.

Khối đo tần số sử dụng vi điều khiển 8051 lập trỡnh để đo tần số. Tần sốđược chỉ thị bằng đốn led 7 đoạn.

Khối tạo thời gian nghỉ thực chất dựng IC CD4040 để chia tần nhằm tạo ra xung điều khiển để khoỏ tầng đệm cụng xuất tạo ra thời gian nghỉ. Thời gian nghỉ cú thể lựa chọn từ 1ữ512 lần chu kỳ xung của mỏy phỏt xung nhờ chuyển mạch. Khối tạo thời gian nghỉ cũn được sử dụng thờm cỏc bộ khuyếch đại thuật toỏn để tạo ra xung mở cho nửa dương và nửa õm của tầng đệm cụng suất.

Khối tạo ngưỡng chuẩn sử dụng cỏc bộ khuyếch đại thuật toỏn để thực hiện cỏc phộp tớnh toỏn học cộng, trừ. Khối này tạo ra điện ỏp chuẩn để điều khiển MOSFET tầng cụng suất, khi điện từ khối ổn ỏp cụng suất đưa vào biến đổi( điện ỏp dương V+ từ 1.2 15V, ữ điện ỏp õm V- từ 0ữ10V).

Khối đệm cụng suất điều khiển cỏc MOSFET ở khối cụng suất đúng hoặc mở. Ta sử dụng phần tửđiều khiển quang điện OPTO 4N35 nhằm cỏch ly tớn hiệu xung điều khiển từ khối tạo thời gian nghỉ và đối tượng điều khiển là MOSFET ở khối cụng suất.

Khối cụng suất sử dụng MOSFET IRFP250 và IRF9630 nhận nguồn V+ và V- từ khối nguồn cụng suất ổn ỏp và việc điều khiển nhờ khối đệm cụng suất, tạo ra xung lưỡng cực cú biờn độ là V+ cho nửa dương và V- cho nửa õm, với dũng cực đại là 15A. Khối nguồn cụng suất ổn ỏp tạo ra điện ỏp V+, V- với dũng cực đại 15A cấp cho khối cụng suất. Khối này sử dụng IC LM317 và Transistor 2N3055 nhằm tạo ra được điện ỏp lối ra cú đủ dũng để đỏp ứng cho khối cụng suất (15A) và giỏ trị điện ỏp ra cú thểđược điều chỉnh một cỏch dễ dàng nhờ chiết ỏp.

Một phần của tài liệu Chế tạo nguồn xung lưỡng cực cho thí nghiệm công nghệ mạ mới (Trang 39)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(62 trang)