Nguồn sĩng sét:
Nguồn sĩng sét được thay thế bằng mơ hình Heiler:
Amp: Giá trị cực đại của nguồn dịng [A] hoặc nguồn áp [V]. T_f : Thời gian đầu sĩng [sec],Khoảng thời gian tính từ thời điểm t=0 tới thời điểm biên độ sĩng sét đạt cực đại.
Tau: Khoảng thời gian [sec] tính từ thời điểm t= 0 tới thời điểm biên độ sĩng sét đạt 37% giá trị cực đại.
n : Hệ số tỷ lệ.
Tsta: Thời gian bắt đầu [sec.],Nhận giá trị 0 nếu T<Tsta. Tsto: Thời gian kết thúc [sec],Nhận giá trị 0 nếu T>Tsto. Hệ thống điện:
Hệ thống điện nối với trạm biến áp được thay thế bởi nguồn xoay chiều 3 pha AC type 14
Trong đĩ giá trị cực đại của nguồn áp Amp: ax 2.220 179, 629( ) 3
m
U = = kV
T-cl_1: Thời gian đĩng của máy cắt [s]. T-op_1: Thời gian cắt của máy cắt [s].
e) Mơ phỏng chống sét van:
Chống sét van khơng khe hở oxit kẽm được mơ phỏng bằng phần tử
MOV như sau:
Trong đĩ:
Vref: Điện áp chuẩn, thường xấp xỉ điện áp danh định của chống sét van.
Vflash: Điện áp phĩng điện của khe hở phĩng điện. Vzero: Điện áp tại thời điểm ban đầu.
COL: Số phân đoạn của đường đặc tính V-A. SER: Số phần tử nối tiếp trong nhánh. ErrLim: Sai số cho phép của trương trình.
f) Mơ phỏng các phần tử khác trong trạm:
Máy biến áp, máy biến điện áp và dao cách ly được thay thế bằng các tụ điện, mơ phỏng bằng mơ hình RLC3.
Hình 4-15: Sơđồ mơ phỏng trạm biến áp.
4.6. Kết quả tính tốn bằng ATP.
Với dịng điện sét cĩ biên độ 100 kA và điểm sét đánh cách trạm bằng 3 khoảng vượt của đường dây (3x320km):
(f ile 3-5.pl4; x-v ar t) c:XX0073-XX0020 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 [ms] 0.10 0 15 30 45 60 75 90 [kA] Hình 4-16: Dạng dịng điện sét.
a)Khi khơng đặt chống sét van tại đầu đường dây vào trạm:
Đường dây vào trạm được bảo vệ bằng 1 dây chống sét và cĩ điện trở nối
đất của cột điện là 10(Ω).
a: Điện áp tại đầu cực MBA b: Điện áp giáng tại đỉnh cột. Hình 4-17.
Nhận xét: Khi sét đánh vào đường dây gần trạm biến áp làm điện áp tại
đầu cực MBA tăng vượt quá giới hạn cách điện của tram(900kV), Vậy ta cần
đặt thêm chống sét van để bảo vệ cách điện của các thiết bị trong trạm.