TIRISTO khoỏ được bằng cực điều khiển, GTO (Gate Turn Of TIRISTO)

Một phần của tài liệu Thiết kế bộ biến đổi điện năng xoay chiều thành một chiều theo phương pháp điều biến độ rông xung (Trang 42 - 43)

- Thụng số kỹ thuật * Điện ỏp ngừ ra : 12VDC

2.5.1.TIRISTO khoỏ được bằng cực điều khiển, GTO (Gate Turn Of TIRISTO)

TON T ON

2.5.1.TIRISTO khoỏ được bằng cực điều khiển, GTO (Gate Turn Of TIRISTO)

TIRISTO)

TIRISTO là linh kiện chỉnh lưu cú điều khiển, được sử dụng rộng rói trong cỏc sơ đồ chỉnh lưu hoặc dựng cắt pha dũng điện xoay chiều từ cụng xuất nhỏ vài W đến cụng suất lớn vài trăm MW. Tuy nhiờn với cỏc ứng dụng trong cỏc bộ biến đổi xung ỏp một chiều hoặc cỏc bộ nghịch lưu mà cỏc phần tử đúng,mở bỏn dẫn luụn đặt dưới điện ỏp một chiều thỡ TIRISTO khụng được sử dụng rộng rói vỡ nú khụng thể khoỏ lại được sau khi đó cú xung kớch mở. Để khoỏ được TIRISTO thỡ thường dựng đến cỏc mạch chuyển mạch cưỡng bức phức tạp, gõy tổn hao về cụng suất, tốn kộm và giảm hiệu suất.

Vào đầu những năm 80 thỡ GTO ra đời. Như tờn gọi của nú, nghĩa là khoỏ lại được bằng cực điều khiển. GTO cú khả năng đúng cắt dũng điện rất lớn, chịu được điện ỏp cao, là van điều khiển hoàn toàn. GTO đó phỏt huy ưu điểm cơ bản của phần tử bỏn dẫn đú là khả năng đúng cắt dũng điện lớn nhưng lại được điều khiển bởi tớn hiệu cụng suất nhỏ.

a. Cấu trỳc bỏn dẫn

a) cấu trỳc bỏn dẫn b) ký hiệu

Hỡnh 2.3: Cấu trỳc bỏn dẫn

Trong cấu trỳc bỏn dẫn của GTO lớp p, anot được bổ xung cỏc lớp n+ . Dấu cộng chỉ ra mật độ cỏc điện tớch tương ứng, cỏc lỗ hoặc điện tử, được làm giầu thờm với mục đớch làm giảm điện trở khi dẫn của cỏc vựng này. Cực điều khiển nối vào lớp p thứ 3 được chia nhỏ ra và phõn bố đều so với lớp n+ của catot.

Một phần của tài liệu Thiết kế bộ biến đổi điện năng xoay chiều thành một chiều theo phương pháp điều biến độ rông xung (Trang 42 - 43)