Khuyêch đái táp ađm thâp

Một phần của tài liệu thiết kế tuyến thông tin vệ tinh (Trang 31 - 34)

KỸ THUAƠT TRÁM MAỊT ĐÂT

3.3.1. Khuyêch đái táp ađm thâp

Sóng bức xá từ veơ tinh đên anten với cođng suât cực kỳ nhỏ, sau khi được anten khuyêch đái nhưng mức đó văn chưa đụ đeơ thực hieơn giại đieău chê do đó caăn phại khuyêch đái chúng leđn moơt mức đụ lớn và tỷ sô S/N phại đát ở ngưỡng cho phép, do đó đòi hỏi taăng khuyêch đái này phại có heơ sô táp ađm nhieơt nhỏ, vì đađy là taăng khuyêch đái đaău tieđn. Hieơn nay có hai lối khuyêch đái táp ađm thâp thường dùng là khuyêch đái dùng GaAs-FET, khuyêch đái dùng HEMT .

1- Khuyêch đái dùng GaAs-FET

Khuyêch đái dùng GaAs-FET là boơ khuyêch đái nhieêu thâp có heơ sô táp ađm khoạng 1,2 đên 2dB . Transistor hieơu ứng trường dùng lối bán dăn hợp chât giữa gali và asenic . Boơ khuyêch đái này được sử dúng roơng rãi ở taăn sô cao với các đaịc tính baíng taăn roơng, có heơ sô khuyêch đái và đoơ tin caơy cao.

2. Khuyêch đái dùng HEMT (High Electron Mobility Transistor)

Transistor có đoơ linh đoơng đieơn tử cao (HEMT) sử dúng tiêp giáp pha troơn giữa GaAs và AlGaAs (hình 3-8) , giữa dại dăn cụa AlGaAs có moơt sai khác naíng lượng, dại này được kích thích lối n, còn GaAs khođng được khích thích. Vì vaơy hình thành moơt lớp giàu đieơn tử trong AlGaAs gaăn beă maịt tiêp giáp với GaAs. Khi

http://www.ebook.edu.vn 31 linh hốt rât cao vì chúng khođng chịu sự tán xá bât kỳ cụa các “nguyeđn tử cho” cụa

vaơt lieơu sinh ra chúng. HEMT có các đaịc tính táp ađm thâp tôt hơn so với GaAs- FET.

Hình 3.8- Câu táo cụa HEMT

Các đaịc tính noơi baơc cụa HEMT như baíng taăn roơng, kích thước nhỏ, giá thành thâp, deê bạo quạn và thuaơn lợi cho sạn xuât hàng lốt, bởi vaơy nó được sử dúng roơng rãi. Boơ khuyêch đái này làm vieơc oơn định ở nhieơt đoơ phòng nhưng có khi chúng được làm lánh nhaỉm đeơ cại thieơn hơn nữa các đaịc tính táp ađm thâp cụa chúng.

Bạng 3-2 So sánh các boơ khuyêch đái táp ađm thâp (LNA)

LNA Múc

GaAs-FET HEMT Đieău kieơn làm vieơc Nhieơt đoơ phòng Làm lánh Làm lánh

Baíng taăn

Baíng 4GHz

Xâp xư 550K Xâp xư 450K Xâp xư 520K Baíng

12GHz

1800K hoaịc

thâp hơn

Xâp xư 1200K Xâp xư 1200K Baíng

20GHz

3000K 2000K hoaịc

thâp hơn

Xâp xư 1600K

Tính naíng Táp ađm thâp

Baíng taăn roơng Kích thước nhỏ

Táp ađm thâp Kích thước vođ cùng nhỏ

b)

As (AlGa) lối n Khođng pha GaAs

Đieơn tử Loê trông (Si)

a)

Neăn GaAs bán dăn GaAs

Nguoăn Coơng Màng bạo veơ

Cực máng

Lớp đieơn tử đoơ linh đoơng cao (AlGa)As

Dại dăn Dại hoá trị

http://www.ebook.edu.vn 33

CHƯƠNG IV

Một phần của tài liệu thiết kế tuyến thông tin vệ tinh (Trang 31 - 34)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(73 trang)