M c tiờu th chi nụ ệ
MOSFET Loại giầu
Tổng quan về tranzito
MOSFET Loại giầu
tranzito Ký hiệu Kiểu hoạt động
Lưỡng cực e
c
b NPN
Thường tranzito khụng dẫn nhưng với một dũng nhỏ đi vào và điện ỏp dương nhỏ tại cực B làm cho cực E dẫn (cho phộp một lượng dũng lớn chảy từ cực C đến cực E). Tranzito hoạt động với điều kiện VC > VE. Sử dụng trong cỏc ứng dụng chuyển mạch và khuếch đại.
e c
b PNP
Thường tranzito khụng dẫn, nhưng với một dũng nhỏ đi ra và điện ỏp õm nhỏ tại cực B làm cho cực E dẫn (cho phộp một lượng dũng lớn chảy từ cực E đến cực C). Tranzito hoạt động với VE > VC. Sử dụng làm chuyển mạch và khuếch đại.
JFET
S D G
NJFET
Thường tranzito dẫn, nhưng với một điện ỏp õm nhỏ tại cực cổng G làm cho cực nguồn S ngưng dẫn (khụng cho dũng từ cực nguồn S chảy đến cực mỏng D). Tranzito hoạt động với điều kiện VD >VS. Khụng đũi hỏi cú dũng cực cổng G. Sử dụng làm chuyển mạch và khuếch đại.
SD D
G PJFET
Thường tranzito dẫn, nhưng với một điện ỏp dương nhỏ tại cực cổng G làm cho cực nguồn ngưng dẫn (khụng cho dũng từ cực nguồn S chảy đến cực mỏng D). Tranzito hoạt động với điều kiện VS > VD. Khụng đũi hỏi cú dũng cực cổng G. Sử dụng làm chuyển mạch và khuếch đại. MOSFET Loại nghốo S D G 2N3796
Thường tranzito MOSFET loại nghốo dẫn, nhưng với điện ỏp õm nhỏ đặt vào cổng G làm cho cổng nguồn S ngưng dẫn (làm ngưng dũng lớn chảy qua cực mỏng D - cực nguồn S). Tranzito hoạt động với điều kiện VD > VS. Khụng đũi hỏi cú dũng cực cổng G. Sử dụng trong cỏc ứng dụng chuyển mạch và khuếch đại.
S D
G PMOS
Thường tranzito MOSFET loại nghốo dẫn, nhưng với điện ỏp dương nhỏ đặt vào cực cổng G làm cho cổng nguồn S ngưng dẫn (làm ngưng dũng lớn chảy qua cực nguồn S - cực mỏng D). Tranzito hoạt động với điều kiện VS > VD. Khụng đũi hỏi cú dũng cực cổng. Sử dụng làm chuyển mạch và khuếch đại.
MOSFETLoại giầu Loại giầu
SD D
G 2N3796
Thường tranzito MOSFET loại giầu ngưng dẫn, nhưng với điện ỏp dương nhỏ đặt vào cực cổng G làm cho cổng nguồn S dẫn (cho phộp dũng lớn chảy qua cực mỏng D - cực nguồn S). Tranzito hoạt động với điều kiện VD > VS. Khụng đũi hỏi cú dũng cực cổng G. Sử dụng làm chuyển mạch và khuếch đại.
SD D
G IRF9510
Thường tranzito MOSFET loại giầu ngưng dẫn, nhưng với điện ỏp õm nhỏ đặt vào cực cổng G làm cho cổng nguồn S dẫn (cho phộp dũng lớn chảy qua cực nguồn S - cực mỏng D). Tranzito hoạt động với điều kiện VS > VD. Khụng đũi hỏi cú dũng cực cổng G. Sử dụng làm chuyển mạch và khuếch đại.