Chương 2 MÁY GIA TỐC PRIMUS – SIEMENS DÙNG TRONG XẠ TRỊ
2.3.3. Phân bố liều hấp thụ theo chiều sâu
Các đại lượng E0, Ep,0 được xác định dựa trên vào các công thức bán thực nghiệm mô tả mối liên hệ giữa năng lượng electron và thông số khoảng cách được xác định trên đường cong phân bố liều hấp thụ theo chiều sâu trong phantom nước. Hình 2.14 là đường cong mô tả phân bố liều hấp thụ theo chiều sâu trong phantom nước. Phân bố liều hấp thụ theo chiều sâu không phụ thuộc vào kích thước trường chiếu mà chỉ phụ thuộc vào năng lượng và góc chiếu [14].
Thông số khoảng cách được xác định dựa trên đường cong sự phân bố theo độ sâu của liều hấp thụ như đã chỉ ra ở Hình 2.14. Khoảng cách thực tế Rp và nửa giá trị độ sâu R50 là đặc biệt quan trọng đối với sự đo năng lượng Rp là chiều sâu mà tại đó hầu như các electron đã bị hấp thụ, chỉ còn lại bức xạ hãm. Liều hấp thụ tại độ sâu lớn hơn Rp chỉ do bức xạ hãm gây ra. R50 là độ sâu tại đó liều hấp thụ bằng 50% liều hấp thụ cực đại.
Mối quan hệ giữa khoảng cách và năng lượng theo kinh nghiệm sẽ đưa ra ở đây là hoàn toàn hợp lí cho chùm electron rộng và song song. Khi sự phân bố liều sâu theo trục trung tâm không phụ thuộc vào kích thước của trường chiếu, nó sẽ phụ thuộc vào năng lượng và sự truyền theo góc của chùm tia. Theo kết quả thực nghiệm, việc sử dụng kích thước trường chiếu 12cm x 12cm, 20cm x 20cm hoặc lớn hơn nên dùng mức năng lượng trung bình là E0= 15 MeV.
Hình2.14: Sự phân bố liều hấp thụ trong phantom nước
Các đại lượng trên Hình 2.14 có ý nghĩa như sau [14]:
Dx là liều hấp thụ do bức xạ hãm gây ra. R100 là độ sâu ứng với liều cực đại Dm.
R50 là độ sâu tại đó liều hấp thụ bằng 50% liều cực đại.
R85 là chiều sâu tại đó liều bằng 85% liều hấp thụ cực đại, đây cũng chính là khoảng cách điều trị. Rp là khoảng cách thực nghiệm mà tại đó chỉ đóng góp của chùm bức xạ hãm hay nói cách khác chiều sâu tại đó chùm electron đã bị hấp thụ hoàn toàn.
Để xác định Rp ta kẻ tiếp tuyến với đồ thị đường cong phân bố liều tại độ sâu 50% như Hình 2.14.
Xác định Ep,0
Năng lượng với xác suất lớn nhất tại bề mặt là liên quan tới khoảng cách Rp theo công thức bán thực nghiệm sau [14, 16]: 2 3 2 1 ,o p p p C C R C R E (2.5)
Với C1 = 0,22 MeV, C2 = 1,98 MeV.cm-1 còn C3 = 0,0025 MeV/cm2 phương trình này là hợp lý đối với trường chiếu có kích thước rộng và cho hầu hết các máy gia tốc hiện tại. Đại lượng Rp được xác định từ đường cong phân bố liều hấp thụ theo chiều sâu trong nước ứng với khoảng cách từ đầu ra của chùm electron từ máy gia tốc đến bề mặt phanton nước 1m.
Xác định E0
Năng lượng trung bình tại bề mặt của phantom liên quan tới R50 theo công thức bán thực nghiệm sau [14, 16]:
E0 = C4R50 (2.6) Trong đó C4 = 2,33 MeV.cm-1. Trong đó C4 = 2,33 MeV.cm-1.