Tầng sửa dạng xung sử dung các cổng NAND và mạch tạo xung dao động vi phân bao gồm tụ C14, điện trở tiêu thụ R13 cùng khóa điều khiển là transistor TR2.Mạch hoạt động như sau:
Khi có tác động của xung kích (TRIGGER) ở mức tích cực cao tác động vào đầu Anode của diode CD1 khi đó điện áp cực tính dương đặt lên chân số 9 của IC2 (TC4093 BP- Quad- 2 NAND Trigger Smith). Chân số 8 của cổng NAND được nối với điện áp dương do đó đầu ra trên chân số 10 của IC2 có mức logic 0 (xuất hiện điện áp cực tính âm). Với kết cấu mạch tạo xung (dao động) sử dụng mạch NAND 2, tụ C14, điện trở tiêu thụ R13 cùng khoá điều khiển sử dụng transistor TR2.
Khi có tác động của xung kích làm chân số 10 có điện áp cực tính âm khi đó TR2 được phân áp đúng làm xuất hiện dòng Ic, khi đó điện áp rơi trên điện trở R14 thay đổi phụ thuộc vào trạng thái đóng mở của TR2, nhờ xung kích hoạt, khi đó tụ C14 được nạp, hết chu kỳ thông tụ điện xả làm đóng TR2, khi C xả hết thì lại kích hoạt TR2 thông, quá trình đó tiếp tục xảy ra. Tín hiệu được lấy ra trên chân colector của TR2 qua tụ ghép C15, dạng tín hiệu ra có dạng xung vi sai, để hiệu chỉnh độ rộng của các xung có thể thực hiện tinh chỉnh trên các biến trở:
RV2, RV3, RV4.
Tín hiệu này qua điện trở hạn dòng R15 và được đưa tới 2 cổng NAND 2 tiếp theo để nắn dạng xung này thành dạng xung vuông, việc thiết lập 2 cổng NAND 2 làm xung tín hiệu tạo ra ổn định và bằng phẳng hơn vì mạch tạo xung sử dụng NAND 2 và các phần tử phi tuyến như C14, TR2 làm méo dạng xung, nếu không hiệu chỉnh mà thực hiện khuếch đại và điều chế xung ngay thì tín hiệu sẽ gây méo nghiêm trọng khi đó với các thang đo khác nhau rất khó để hiệu chỉnh, làm giảm khả năng phát hiện mục tiêu của radar, hơn nữa khi có sự tham gia của các phần tử phi tuyến trong điều chế xung làm xuất hiện các thành phần tấn số lạ làm quá trình điều chế bị méo. Nên phần tử NAND 2 này giống một khoá thực hiện dập tắt các thành phần xảy ra trong quá trình quá độ của mạch tạo xung.
Trong kết cấu mạch tạo xung sử dụng phần tử NAND 2 này có thêm các diode dập CD17, CD5 thực hiện tiêu tán và dập tắt các dao động ngoại lai khi phát sinh dao động. Làm tín hiệu xung tạo ra ổn định và đạt độ bằng phẳng tốt nhất. Diode CD1 là một khóa thiết lập chỉ cho tín hiệu kích thích ở mức tích cực cao tác động. Tụ ghép C15 rất quan trọng chúng ngăn cách thành phần một chiều khi đó quá trình điều khiển độ rộng của các xung bằng các biến trở hay sử dụng điều khiển độ rộng xung này một cách tự động thông qua các transistor không bị méo tín hiệu, hơn nữa nếu tồn tại các thành phần một chiều trong tín hiệu trong thời gian dài sẽ gây nóng các biến trở và định thiên cho các transistor điều khiển độ rộng xung trong các thang chia khác nhau sẽ làm trôi điểm làm việc, tính chất điều khiển thông qua sự thay đổi dòng kích thông của các transistor sẽ không phụ thuộc vào tính chất biến đổi của thang chia khi có tác động đầu vào điều khiển PW.
Sự biến động của các mục tiêu cần theo dõi do khoảng cách bị biến đổi, tính chất và hướng góc của búp sóng…Do đó có thể xác định các mục tiêu với các khoảng cách khác nhau, để máy thu có thể nhận diện được mục tiêu phân định và định hình đối tượng thì độ rộng xung của các xung tín hiệu khi phát cần phải được hiệu chỉnh phù hợp trong các thang chia khác nhau. Quá trình điều khiển này có thể thực hiện hiệu chỉnh bằng tay thông qua thay đổi các hệ số phân áp trên mạch bằng các biến trở, hay điều khiển dòng tín hiệu thông qua hiệu chỉnh tự động thông qua khoá điện tử. Modulator CME-230 sử dụng cả hai phương pháp trên cho từng thang đo cụ thể: Trong thang đo tầm gần (S) và tầm trung (M) độ rộng của các xung được hiệu chỉnh tự động thông qua việc điều khiển dòng kích thông 2 transistor TR5, TR6.
Các diode Zener CD3, CD4, định thiên áp chuẩn cho TR3, TR4 khi được kích hoạt chuyển sang thang đo S và M (xung kích tín hiệu vào đầu vào PW – Pules Width), dòng Ic của TR3, TR4 kích hoạt TR5, TR6 hoạt động làm xuất hiện dòng Colector trên các TR5, TR6 do đó dòng xung tín hiệu do bộ tạo xung tạo ra được điều khiển qua sự xuất hiện mở thông của các Transistor này làm thay đổi độ rộng xung của nó.
Trong nhiều trường hợp ta có thể hiệu chỉnh độ rộng của các xung bằng cách tinh chỉnh thay đổi các hằng số vi phân thông qua các biến trở như đã nói ở trên.
Trong thang đo tầm gần cần thiết phải thực hịên sửa dạng xung đầu ra, bởi trong thang đo này cường độ bức xạ các xung tín hiệu là rất lớn, các xung phản xạ về cũng có cường độ lớn để máy thu có thể giải mã và xác nhận chính xác mục tiêu thì các
xung phản xạ về cũng phải có độ ổn định cao, do đó các xung phát cũng phải đạt độ bằng phẳng tốt nhất. Việc chỉnh sửa các xung này có thể thực hiện bằng nhiều cách khác nhau, nhưng thông thường hay sử dụng đó là các mắt lọc, nhằm hạn chế sự xuất hiện của các thành phần biến đổi nhanh gây méo dạng xung, hay hạn chế biên độ xung thông qua điều khiển tính chất dung kháng hay cảm kháng của mạch. CME-230 sử dụng một “khoá mềm” điều tiết tự động để có thể thêm chức năng tinh chỉnh dạng xung: Trong thang đo S tín hiệu điều khiển tự động được thiết lập khi điều khiển hoạt động của các transistor TR5, TR6, tín hiệu điều khiển này được lấy ra trên chân Base của TR5 dùng để kích hoạt TR19 hoạt động, TR19 hoạt động xuất hiện điện áp đặt lên cuộn dây của rơle JE-DC12V đóng khoá kết nối cuộn dây L3 nối song song với cuộn sơ cấp của biến áp tải H-TLPRD 0109, L3 được kết nối nó giống như một mắt lọc làm tăng độ bằng phẳng của xung ra trong thang đo này.
Các xung tín hiệu tạo ra từ bộ tạo xung dùng phần tử NAND và được hiệu chỉnh độ rộng của chúng thông qua các biến trở hay điều khiển khóa mở các transistor, Tín hiệu này một lần nữa qua hai cổng NAND 2 tiếp theo để hiệu chỉnh, sau đó thực hiện khuếch đai thông qua các tầng khuếch đại (tiền khuếch đại) trước khi đưa tới bộ khuếch đại công suất dùng transistor MOSFET.