Sự làm ngang bằng nhau giữa TE và TM có thể đạt được bằng cách dùng ống dẫn sóng tiết diện hình vuông như được biểu diễn trong thiết bị dãy đỉnh bị chôn vùi. Trong thiết bị này, hàng rào thế của lớp đồng tiếp xúc InP n/p lớn hơn hàng rào của lớp dị thể tiếp xúc vùng hoạt tính InGaAsP/ InP loại n. Điều này có nghĩa là sự rò rỉ hạt tải điện rất ít từ vùng hoạt tính. Sự giam cầm các hạt tải điện này được cải tiến thêm bằng cách dùng những vùng InP được cấy proton điện trở cao.
Hình 1.18: Mặt cắt và hình chiếu từ trên của SOA dãy đỉnh bị chôn vùi với sự thon dài ở cuối của các vùng cửa sổ. Ống dẫn sóng ở giữa có tiết diện hình vuông với các cạnh
chiều dài 0.4m
Tuy nhiên những cấu trúc như trên thể hiện sự phân kì trường xa rộng, nó dẫn đến sự làm nghèo hiệu suất ghép từ SOA đến sợi quang. Sự vuốt ống dẫn sóng tích cực gần các bề mặt bộ khuếch đại được biểu diến trong hình 1.16 có thể giảm sự phân kì trường xa. Các mode dẫn hướng được giam cầm mạnh trong các ống dẫn sóng tiết diện
SVTH: Đào Vũ-Lớp:D08VT1 20 hình vuông trung tâm, nhưng nó chịu giam cầm ít hơn trong vùng bị vuốt và vì vậy mở rộng. Điều này làm tăng kích thước mode đầu ra và giảm sự phân kì trường xa, do đó tăng hiệu suât ghép. Thiết bị cũng bao gồm các vùng cửa sổ để giảm hệ số phản xạ bề mặt hiệu dụng. Với loại thiết bị này có thể đạt độ nhạy phân cực nhỏ hơn 1dB trên một khoảng rộng của dòng phân cực như hình sau:
Hình 1.19: Độ sợi đến sợi của chế độ phân cực TE và TM theo dòng phân
cực của SOA bị vuốt ở bước sóng 1550nm