2. LÝ THUYẾT
2.5.10Bộ nhớ DS1820
Hình 2.34: Sơđồ bộ nhớ DS1820
Bộ nhớ của DS1820 được thể hiện như hình trên. Bộ nhớ gồm có một SRAM và kho dữ liệu EEPROM cho các tín hiệu kích mức cao và thấp (TH và TL). Chú ý rằng nếu hàm báo động DS1820 chưa được sử dụng thì TH và TL có thể phục vụ cho những bộ nhớđa dụng khác.
Byte 0 và byte 1 của bộ nhớ tạm thời chứa đựng LSB và MSB của nhiệt độ tương ứng, những byte này là byte chỉ đọc. Byte 2 và byte 3 cung cấp cho quản lý truy nhập tới TH và TL. Byte 4 và byte 5 được lưu trữ cho bộ nhớ trong để sử dụng cho cảm biến và không được ghi đè lên, những byte này sẽđược giải phóng sau 1s khi giá trị đã được đọc. Byte 6 và byte 7 chứa đựng COUNT REMAIN và COUNT PER0C, mà có thể sử dụng để tính toán mở rộng.
Byte 8 của bộ nhớ tạm thời chỉ đọc và chứa đựng những mã kiểm tra (CRC) cho byte 0 đến byte 7 của dữ liệu tạm thời.
Dữ liệu được viết cho byte 2 và byte 3 của bộ nhớ tạm thời sử dụng lệnh viết bộ nhớ tạm thời; dữ liệu phải được truyền tới DS1820 để bắt đầu với mẫu bit ít cần nhất của byte 2. Xác minh sự toàn vẹn dữ liệu, bộ nhớ tạm thời có thểđược đọc sau khi dữ liệu được viết. Khi đọc dữ liệu tạm thời, dữ liệu được chuyển qua bus 1 dây để bắt đầu với bit ít quan trọng nhất của byte 0. Để chuyển tín hiệu TH và TL từ bộ
nhớ tạm thời tới EEPROM người điều khiển phải tiến hành sao chép lệnh điều khiển dữ liệu tạm thời.
Dữ liệu trong EEPROM thì được giữ khi thiết bị được cấp nguồn xuống, tại nguồn lên của dữ liệu EEPROM thì được nạp lại cho sự định vị trí bộ nhớ tạm thời tương ứng. Dữ liệu có thể cũng được nạp lại từ EEPROM đến bộ nhớ tạm thời vào bất kỳ thời gian nào sử dụng lệnh gọi lại E2. Người điều khiển có thể truyền đi tín hiệu “đọc những rãnh thời gian” việc gọi lại lệnh E2 và DS1820 sẽ chỉ báo tình trạng của việc gọi lại bằng cách đưa ra tín hiệu mức 0 khi tín hiệu lên và mức 1 khi tín hiệu gọi lại bắt đầu.