C thường được quy định như điện dung của lớp ô xít trín một đơn vịđộ rộng kính dẫn âc giâ trịđ i ệ n dung không tuy ế n tính c ủ a ti ế p giâp pn
b) Trạng thâi kính dẫn của JFET khi có điện âp cung cấp văo cực mâng-nguồn.
Khi tăng giâ trị của điện âp mâng-nguồn vă cố định giâ trị của vGS, ta thấy rằng: đối với một giâ trị nhỏ của điện âp mâng-nguồn, như cho ở hình 3.21a, thì vẫn có một kính điện trở kết nối giữa mâng vă nguồn, JFET lăm việc ở vùng tuyến tính vă dòng mâng sẽ phụ thuộc văo điện âp mâng-nguồn vDS.
Với giả thiết iG ≈ 0, chiều dòng điện văo tại cực mâng vă ra ở cực nguồn như ở MOSFET. Tuy nhiín, hêy lưu ý rằng điện âp phđn cực ngược qua câc tiếp giâp cổng-kính tại đầu kính dẫn phía cực mâng sẽ lớn hơn so với điện âp đầu kính dẫn phía cực nguồn, vă như vậy vùng nghỉo sẽ rộng hơn tại đầu kính dẫn phía cực mâng của JFET so với đầu kính dẫn phía cực nguồn.
Đối với câc giâ trị của vDS lớn hơn, thì vùng nghỉo tại phía cực mâng sẽ trở nín rộng hơn vă tiếp tục mở rộng cho đến khi kính dẫn thắt lại gần cực mâ ng như ở hìn h 3.2 1b. Việ c thắt kính xảy ra trước hết tại: vGS - vDSP = VP hay: vDSP = vGS - VP (3.38)
Trong đó, vDSP lă giâ trị của điện âp mâng cần có để kính dẫn vừa được thắt.
Khi kính dẫn của JFET thắt lại, thì dòng mâng sẽ bêo hòa, vẫn giống nhưđối với MOSFET. Câc điện tửđược gia tốc qua kính dẫn, được phóng thích văo vùng nghỉo, vă được cuốn văo vùng mâng bởi điện trường giữa mâng vă nguồn.
Hình 3.21c, lă trạng thâi kính dẫn của JFET đối với câc giâ trị lớn hơn nữa của vDS. Điểm thắt sẽ di chuyển tiến về phía vùng nguồn, thu ngắn chiều dăi của vùng kính điện trở. Như vậy, JFET chịu sựđiều biến độ dăi kính tương tự nhưở MOSFET.