- Tạo ra yếu tố ngăn cản sự keo tụ hoặc hợp giọt
Nội dungNội dung
Nội dung 3.4.1 Định nghĩa 3.4.1 Định nghĩa 3.4.2 Đặc điểm 3.4.2 Đặc điểm 3.4.3 Phân loại 3.4.3 Phân loại 3.4.4 Cơ chế 3.4.4 Cơ chế 3.4.5 Hóa học trong CVD 3.4.5 Hóa học trong CVD 3.4.6 Ưu – nhược điểm
3.4.6 Ưu – nhược điểm3.4.7 Ứng dụng 3.4.7 Ứng dụng
3.4.1 Định nghĩa
3.4.1 Định nghĩa
Là phương pháp mà vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được đun nóng
Là phương pháp mà vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thông qua các phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được đun nóng 3.4.2 Đặc điểm 3.4.2 Đặc điểm Trong CVD, vật liệu rắn thu được là dạng lớp phủ, bột hoặc đơn tinh thể
Đặc điểm là có thể chế tạo được màng với độ dày đồng đều và ít bị xốp ngay cả khi hình dạng đế phức tạp, cũng như là có thể lắng đọng chọn lọc
Trong CVD, vật liệu rắn thu được là dạng lớp phủ, bột hoặc đơn tinh thể
Đặc điểm là có thể chế tạo được màng với độ dày đồng đều và ít bị xốp ngay cả khi hình dạng đế phức tạp, cũng như là có thể lắng đọng chọn lọc
3.4.3 Phân loại
3.4.3 Phân loại
Thermal CVD: CVD kích hoạt phản ứng bằng nhiệt, thường được thực hiện ở nhiệt độ cao (trên 900oC) -> phương pháp đầu tiên và cổ điển.
MOCVD (metal organic chemical vapour deposition) : CVD nhiệt nhưng sử dụng precursor là hợp chất hữu cơ kim loại.
PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) : Sử dụng năng lượng của plasma để kích hoạt phản ứng, do đó nhiệt độ thấp hơn nhiều.
HDPCVD : Lắng đọng hơi hóa học plasma mật độ cao.
ALCVD: Lắng đọng hơi hóa học lớp nguyên tử.
MOMBE (epitaxy chùm phân tử hữu cơ kim loại) : Sử dụng precursor hữu cơ kim loại dễ bay hơi và precursor bay hơi từ thể rắn.
APCVD: Lắng đọng hơi hóa học ở áp xuất khí quyển
CBE (epitaxy chùm hóa học) : phương pháp CVD chân không cao, Sử dụng precursor hữu cơ kim loại dễ bay hơi và precursor thể khí
Thermal CVD: CVD kích hoạt phản ứng bằng nhiệt, thường được thực hiện ở nhiệt độ cao (trên 900oC) -> phương pháp đầu tiên và cổ điển.
MOCVD (metal organic chemical vapour deposition) : CVD nhiệt nhưng sử dụng precursor là hợp chất hữu cơ kim loại.
PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) : Sử dụng năng lượng của plasma để kích hoạt phản ứng, do đó nhiệt độ thấp hơn nhiều.
HDPCVD : Lắng đọng hơi hóa học plasma mật độ cao.
ALCVD: Lắng đọng hơi hóa học lớp nguyên tử.
MOMBE (epitaxy chùm phân tử hữu cơ kim loại) : Sử dụng precursor hữu cơ kim loại dễ bay hơi và precursor bay hơi từ thể rắn.
APCVD: Lắng đọng hơi hóa học ở áp xuất khí quyển
CBE (epitaxy chùm hóa học) : phương pháp CVD chân không cao, Sử dụng precursor hữu cơ kim loại dễ bay hơi và precursor thể khí
3.4.4 Cơ chế
3.4.4 Cơ chế