6vdc lên 220vac tần số 50hz
2.3.3. Quỏ trỡnh mở và khúa của Mosfet
Khi cấp vào cực G (Gate) của Mosfet một điện ỏp thụng qua mạch Driver thỡ quỏ trỡnh mở Mosfet được thể hiện trong đồ thị sau:
Hỡnh 2.14.Quỏ trỡnh mở của Mosfet
2.3.3.1. Quỏ trỡnh mở của Mosfet.
Giai đoạn thứ nhất: Điện dung đầu vào của Mosfet được nạp từ điện ỏp 0V đến giỏ trị UTH, trong suốt quỏ trỡnh đú hầu hết dũng điện vào cực G được nạp cho tụ CGS, một lượng nhỏ nạp cho tụ CGD. Quỏ trỡnh này được gọi là quỏ trỡnh mở trễ bởi vỡ cả dũng ID và điện ỏp trờn cực D (Drain) đều khụng đổi.. Sau khi cực G được nạp tới giỏ trị điện ỏp giữ mẫu UTH, mosfet sẵn sàng để dẫn dũng điện.
Giai đoạn thứ hai: Điện ỏp cực G tiếp tục tăng từ UTH đến giỏ trị UMiller đõy là quỏ trỡnh tăng một cỏch tuyến tớnh; dũng điện ID tăng tỉ lệ với điện ỏp của cực G trong khi đú điện ỏp giữa hai cực UDS vẫn giữ nguyờn giỏ trị.
UGS UTH IG t t t t UDS ID Mức Miller 1 2 3 4
Giai đoạn thứ ba: Điện ỏp cực G giữ nguyờn ở mức điện ỏp Miller VGS,Miller trong khi đú điện ỏp trờn cực D bắt đầu giảm. Dũng điện ID trờn Mosfet giữ nguyờn ở một giỏ trị nhất định.
Giai đoạn thứ tư: Đõy là giai đoạn Mosfet dẫn bóo hũa khi cấp một điện ỏp cao UDRV (giỏ trị của UDVR nằm trong khoảng 10 20V ) vào cực G của Mosfet.
Giỏ trị cuối cựng của VGS sẽ quyết định điện trở trong RDS(ON) của van trong quỏ trỡnh mở. Do đú trong giai đoạn thứ tư điện ỏp trờn cực Gate tăng từ giỏ trị UMiller đến giỏ trị của mạch Driver UDRV. Trong khi đú điện ỏp giữa cực D, S (UDS) giảm mạnh gần về giỏ trị 0V, dũng điện ID giữ khụng đổi.
Hỡnh 2.15. Quỏ trỡnh khúa của Mosfet
Quỏ trỡnh khúa của mosfet cũng được chia làm bốn giai đoạn:
Giai đoạn thứ nhất: Là quỏ trỡnh xả điện tớch trờn tụ CGS,DS từ giỏ trị ban đầu đến giỏ trị miller, điện ỏp trờn cực D của Mosfet bắt đầu tăng dần nhưng rất nhỏ, dũng điện trờn cực D ( ID) khụng đổi.
Giai đoạn thứ hai: Điện ỏp giữa hai cực D - S của Mosfet sẽ tăng từ giỏ trị UDS = ID.RDS(on) tới giỏ trị cuối UDS(off).
Trong suốt giai đoạn này dũng điện trờn cực D vẫn giữ khụng đổi. Dũng điện của cực G hoàn toàn là dũng xả của tụ trờn cỏc cực của Mosfet.
Giai đoạn thứ ba: Điện ỏp cực G giảm từ giỏ trị Miller đến giỏ trị giữ mẫu UTH. Phần lớn dũng điện xả trờn cực G là phúng trờn tụ CGS.
Giai đoạn này điện ỏp UGS và dũng điện ID đều giảm tuyến tớnh. Trong khi đú điện ỏp UDS vẫn giữ nguyờn giỏ trị UDS(OFF).
Giai đoạn thứ tư: Giai đoạn này là quỏ trỡnh phúng điện hoàn toàn của tụ điện trờn cỏc cực của Mosfet, UGS giảm đến giỏ trị 0V. Dũng điện trờn cực D giảm về giỏ trị 0 và khụng đổi.
Túm lại quỏ trỡnh mở - khúa của Mosfet là quỏ trỡnh chuyển mạch giữa trạng thỏi trở khỏng cao và trạng thỏi trở khỏng thấp được thực hiện trong bốn giai đoạn.
Độ dài khoảng thời gian của cỏc giai đoạn được quyết định bởi giỏ trị điện dung giữa cỏc cực, điện ỏp đặt vào cực điều khiển, và dũng điện nạp xả của cỏc tụ điện trờn cực G. Đõy là thụng số quan trọng để thiết kế mạch điều khiển Mosfet trong cỏc ứng dụng cú tần số đúng cắt lớn.