+ Thờm một lớp bỏn dẫn p để tạo vựng thỏc, tập trung điện trường lớn.
- Trỡnh bày nguyờn lý hoạt động: + Khi chưa cú điện ỏp phõn cực + Khi chưa cú điện ỏp phõn cực
+ Đặt điện ỏp phõn cực ngược lờn APD
+ Khi chưa cú ỏnh sỏng chiếu vào: trong mạch cú dũng tối
+ Khi cú ỏnh sỏng chiếu vào: photon ỏnh sỏng bị hấp thụ tạo thành cặp điện tử - lỗ trống
+ Cỏc cặp điện tử - lỗ trống tạo ra trong vựng nghốo dưới tỏc dụng của điện trường ngoài chuyển động ra mạch ngoài tạo thành dũng tỏch quang
+ Nguyờn lý khuếch đại: Điện tử, lỗ trống được tạo ra khi đi qua tiếp giỏp p-n+ sẽ được gia tốc, khi chỳng cú động năng đủ lớn chỳng sẽ va đập với cỏc nguyờn tử và tạo ra cỏc cặp điện tử, lỗ trống mới…
IV. Thu quang
3. Trỡnh bày cỏc tham số đặc tớnh của photodiode PIN
- Dũng photo của PIN - Photodiode - Dũng ra của PIN - Photodiode
- Đặc tuyến tĩnh của PIN - Photodiode
- Nhiễu trong PIN – Photodiode: trỡnh bầy nguyờn nhõn của cỏc loại nhiễu)
+ Nhiễu dũng điện tối, + Nhiễu dũng dũ,
+ Nhiễu nhiệt,
IV. Thu quang
4. Trỡnh bày cỏc tham số đặc tớnh của APD
- Dũng photo của APD - Dũng ra của APD
- Đặc tuyến tĩnh của APD
- Nhiễu trong APD: trỡnh bầy nguyờn nhõn của cỏc loại nhiễu)
+ Nhiễu dũng điện tối, + Nhiễu dũng dũ,
+ Nhiễu nhiệt,
+ Nhiễu lượng tử tớn hiệu,
IV. Thu quang
5. Trỡnh bày cỏc loại nhiễu trong bộ thu quang.
- Nhiễu trong APD: trỡnh bầy nguyờn nhõn và cụng suất của cỏc loại nhiễu) - Nhiễu trong PIN – Photodiode: trỡnh bầy nguyờn nhõn và cụng suất của
cỏc loại nhiễu)
+ Nhiễu dũng điện tối, + Nhiễu dũng dũ,
+ Nhiễu nhiệt,
+ Nhiễu lượng tử tớn hiệu. + Nhiễu dũng điện tối,
+ Nhiễu dũng dũ, + Nhiễu nhiệt,
+ Nhiễu lượng tử tớn hiệu,
IV. Thu quang
6. Trỡnh bày cỏc tham số đỏnh giỏ tớn hiệu tại mỏy thu quang. - Tỉ số tớn hiệu trờn nhiễu quang: OSNR
+ Định nghĩa SNR
+ Định nghĩa OSNR: SNR trong miền quang + Cỏch xỏc định OSNR
+ Biểu thức:
OSNR(dB/B-nm)=10log [(S+N)/N – 1]