Từ các so sánh giữa các cơ cấu chấp hành của vi gắp cùng với so sánh giữa các
loại cảm biến đã được nghiên cứu, có thể thấy hệ thống vi gắp sử dụng cơ chế nhiệt
điện sử dụng vật liệu silic-polyme và tích hợp cảm biến áp điện giới thiệu tại [11] đáp
ứng hài hòa giữa các tính năng cơ bản dành cho một hệ vi gắp. Nhờ sử dụng cấu trúc
xếp tầng các đơn vịngăn xếp silic-polyme, vi gắp này tạo ra chuyển vị và lực kẹp lớn,
đáp ứng nhanh trong khi sử dụng điện áp và công suất tiêu thụ thấp. Công nghệ sản
xuất vi gắp này đơn giản và quy trình chế tạo hoàn toàn tương thích với các công nghệ
CMOS. Bên cạnh đó, vi gắp này tích hợp được cả cảm biến lực và cảm biến chuyển vị
nhờ sắp xếp các thanh áp trở theo một cấu trúc đặc biệt, cho độ chính xác cao cũng như giá trịđiện áp phản hồi lớn.
27
Cấu trúc cảm biến tích hợp trên vi gắp trên sử dụng bốn (4) áp trởđược kết nối
theo sơ đồ cầu Wheatstone và bố trí hai (2) áp trở trên thanh đỡ cảm biến. Tín hiệu phản hồi sẽ là vi sai điện trở ở hai điểm giữa của kết nối cầu Wheatstone. Nhờ vào thiết kế này, hệ cảm biến có thểxác định được đồng thời chuyển vị, lực kẹp tác động
lên đối tượng thao tác (theo các hướng khác nhau) [11, 86] khi chuyển mạch kết nối
điện giữa các thanh điện trở. Bên cạnh đó, cấu trúc cảm biến này cho độ chính xác cao
do đã triệt tiêu được các tín hiệu nhiễu từ bên ngoài, sự chênh lệch về nhiệt độ. Hệ
thống vi gắp nhiệt điện silic-polyme giới thiệu tại tài liệu [11] có nhiều ưu điểm nổi bật nhất trong nhóm này.